株式會社日立高新技術永澤充獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立高新技術申請的專利等離子處理裝置以及等離子處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114521287B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080020834.2，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權等離子處理裝置以及等離子處理方法是由永澤充;江藤宗一郎;臼井建人;中元茂設計研發完成，并于2020-09-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本等離子處理裝置以及等離子處理方法在說明書摘要公布了：為了提供以高精度檢測處理對象的膜的蝕刻量并提高處理的成品率的等離子處理裝置或者等離子處理方法，具備如下工序：使用在從形成等離子起到蝕刻結束為止的多個時刻檢測出表示在晶片表面反射而形成的多個波長的干涉光的強度的信號的結果，來檢測所述處理對象的膜層的厚度或者蝕刻的深度，使用在該工序的剛形成所述等離子之后的初始的期間中得到的多個波長的干涉光的強度的變化的量，來檢測所述處理對象的膜層的蝕刻處理開始的時刻，根據比較表示該開始的時刻以后的所述處理中的任意時刻的所述多個波長的干涉光的強度的實際數據和預先得到的與多個所述膜厚或者蝕刻深度的值對應的所述多個波長的干涉光的強度的檢測用的多個數據的結果，來檢測所述任意時刻的剩余膜厚或者蝕刻量。
本發明授權等離子處理裝置以及等離子處理方法在權利要求書中公布了：1.一種等離子處理方法，在真空容器內部的處理室內配置處理對象的晶片，在所述處理室內形成等離子來對預先形成于所述晶片的表面的膜進行蝕刻，其特征在于，具有如下工序： 在載置于所述處理室內的所述晶片的上方，在從形成所述等離子起到所述蝕刻結束為止的多個時刻接受在所述晶片的表面反射的干涉光，并生成表示所述干涉光的強度的信號； 基于所生成的所述信號來決定所述晶片中的蝕刻開始時刻；以及 基于所決定的所述蝕刻開始時刻之后的所述處理中的多個時刻的表示所述干涉光的強度的信號來判定所述晶片的表面的所述膜的蝕刻的終點的到達， 表示所述干涉光的強度的信號包括光譜的波形，分別計算所述多個時刻中的兩個時刻的所述光譜的波形之差，將所述差的和成為給定的閾值以上的時刻決定為所述蝕刻開始時刻。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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