德州儀器公司高見澤彰一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉德州儀器公司申請的專利氮化物半導體襯底及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113874559B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080035782.6，技術領域涉及：C30B25/18；該發明授權氮化物半導體襯底及其制造方法是由高見澤彰一設計研發完成，并于2020-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化物半導體襯底及其制造方法在說明書摘要公布了：[問題]當在硅單晶襯底上外延生長氮化物半導體層時，歸因于晶格失配及熱膨脹系數的差異而發生畸變，且發生大的翹曲及裂紋，這妨礙了裝置生產。另一個問題是無法獲得具有良好結晶度的氮化物半導體。[解決方案]歸因于在將氮化物半導體外延生長到硅單晶襯底上期間產生的晶格失配的畸變及歸因于在外延生長氮化物半導體之后的冷卻過程期間發生的所述熱膨脹系數的差異的熱畸變不僅通過所述氮化物半導體中的緩沖層來減輕，而且還通過在所述硅單晶襯底中平行于其表面形成的錯配位錯層來減輕。這達成具有極好結晶度的氮化物半導體襯底，而不會發生裂紋或大的翹曲。
本發明授權氮化物半導體襯底及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化物半導體襯底，其包括硅襯底以及在所述硅襯底上外延生長的氮化物半導體，其中在所述硅襯底中存在錯配位錯，其中所述錯配位錯的密度在深度方向上達到最大值的位置位于距所述硅襯底與所述氮化物半導體之間的界面1.5μm以上的位置處，且其中所述硅襯底包括具有第一摻雜濃度的硅單晶襯底和在所述硅單晶襯底上形成的硅外延層，所述硅外延層具有低于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人德州儀器公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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