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龍圖騰網(wǎng)獲悉無(wú)錫先為科技有限公司申請(qǐng)的專利生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115148794B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210761863.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/85；該發(fā)明授權(quán)生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法，生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜至少包括Si襯底以及在Si襯底上依次外延生長(zhǎng)的過(guò)渡層、GaN緩沖層、GaN溝道層和勢(shì)壘層；GaN緩沖層包括第一GaN層和第二GaN層，第一GaN層、第二GaN層和GaN溝道層分別在第一條件、第二條件和第三條件下外延生長(zhǎng)，分步沉積；先通過(guò)極低的VIII比生長(zhǎng)第一GaN層作為應(yīng)力保持層，使得第一GaN層能夠引入足夠的壓應(yīng)力，以均衡后續(xù)的熱應(yīng)力，提升膜層的抗彎曲形變能力；在較低的VIII比下生長(zhǎng)高阻抗的第二GaN層，能夠有效提高C摻雜濃度，從而提升GaN薄膜的耐壓能力，進(jìn)而改善功率器件的整體耐壓效果。

本發(fā)明授權(quán)生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN薄膜，至少包括Si襯底10以及在所述Si襯底10上依次外延生長(zhǎng)的過(guò)渡層20、GaN緩沖層30、GaN溝道層40和勢(shì)壘層50，其特征在于： 所述GaN緩沖層30至少包括第一GaN層31，設(shè)于所述過(guò)渡層20背離所述Si襯底10的一側(cè)，所述第一GaN層31被配置為以第一條件外延生長(zhǎng)的應(yīng)力保持層；以及 第二GaN層32，設(shè)于所述第一GaN層31背離所述過(guò)渡層20的一側(cè)，所述第二GaN層32被配置為以第二條件外延生長(zhǎng)的非摻雜GaN高阻層； 所述GaN溝道層40被配置為以第三條件外延生長(zhǎng)的非摻雜GaN層； 所述第一條件還包括不低于8μmh的平均生長(zhǎng)速率； 定義V族和III族原料的摩爾比為VIII比，第一條件至少包括：保持VIII比為50-100；第二條件至少包括提升VIII比至300-500； 第二條件還包括保持所述第二GaN層32的平均生長(zhǎng)速率為10-20μmh。

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