買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉三星顯示有限公司申請(qǐng)的專利有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110875335B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910697762.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K59/121；該發(fā)明授權(quán)有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置是由樸晙晳;文然建;金光淑;金兌相;樸根徹;全景辰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置在說明書摘要公布了：本公開涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括基底、第一氧化物晶體管、第二氧化物晶體管以及子像素結(jié)構(gòu)。所述基底具有包括多個(gè)子像素區(qū)域的顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域旁邊的外圍區(qū)域。所述第一氧化物晶體管設(shè)置在所述基底上的所述外圍區(qū)域中，并且包括第一氧化物半導(dǎo)體圖案，所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案包括錫Sn。所述第二氧化物晶體管設(shè)置在所述基底上的每個(gè)所述子像素區(qū)域中，并且包括第二氧化物半導(dǎo)體圖案。所述子像素結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二氧化物晶體管上。

本發(fā)明授權(quán)有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括： 基底，所述基底具有包括多個(gè)子像素區(qū)域的顯示區(qū)域，所述基底具有位于所述顯示區(qū)域旁邊的外圍區(qū)域； 第一氧化物晶體管，所述第一氧化物晶體管在所述基底上的所述外圍區(qū)域中，所述第一氧化物晶體管包括第一氧化物半導(dǎo)體圖案，所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案包括錫； 第二氧化物晶體管，所述第二氧化物晶體管在所述基底上的每個(gè)所述子像素區(qū)域中，所述第二氧化物晶體管包括第二氧化物半導(dǎo)體圖案，并且所述第一氧化物晶體管和所述第二氧化物晶體管位于同一層； 第三氧化物晶體管，所述第三氧化物晶體管設(shè)置在所述基底上的每個(gè)所述子像素區(qū)域中，所述第三氧化物晶體管包括第三氧化物半導(dǎo)體圖案，所述第三氧化物半導(dǎo)體圖案包括錫，并且所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案、所述第二氧化物半導(dǎo)體圖案以及所述第三氧化物半導(dǎo)體圖案位于同一層；以及 子像素結(jié)構(gòu)，所述子像素結(jié)構(gòu)在所述第二氧化物晶體管上，所述子像素結(jié)構(gòu)包括： 下部電極； 發(fā)光層，設(shè)置在所述下部電極上；以及 上部電極，設(shè)置在所述發(fā)光層上， 其中，所述第二氧化物晶體管對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管，并且所述第三氧化物晶體管對(duì)應(yīng)于開關(guān)晶體管， 其中，所述第二氧化物半導(dǎo)體圖案不包括錫， 其中，所述第二氧化物晶體管和所述第三氧化物晶體管中的每一者與所述子像素結(jié)構(gòu)的所述下部電極重疊， 其中，所述方法包括： 提供所述基底； 將第一初步氧化物半導(dǎo)體層形成在所述基底上； 在使用第一蝕刻劑圖案化所述第一初步氧化物半導(dǎo)體層之后，將所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案形成在所述外圍區(qū)域中，并且同時(shí)將所述第三氧化物半導(dǎo)體圖案形成在每個(gè)所述子像素區(qū)域中； 將第二初步氧化物半導(dǎo)體層形成在所述基底以及所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案和所述第三氧化物半導(dǎo)體圖案上； 在使用不同于所述第一蝕刻劑的第二蝕刻劑圖案化所述第二初步氧化物半導(dǎo)體層之后，將所述第二氧化物半導(dǎo)體圖案形成在每個(gè)所述子像素區(qū)域中，其中，所述第一氧化物半導(dǎo)體圖案和所述第三氧化物半導(dǎo)體圖案不被所述第二蝕刻劑蝕刻；以及 將所述子像素結(jié)構(gòu)形成在所述第二氧化物半導(dǎo)體圖案上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星顯示有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道龍仁市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。