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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種垂直型鰭狀功率器件及其制備方法、芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116190236B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211641551.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種垂直型鰭狀功率器件及其制備方法、芯片是由吳龍江設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種垂直型鰭狀功率器件及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種垂直型鰭狀功率器件及其制備方法、芯片，通過在半導(dǎo)體襯底的正面依次外延生長N型漂移層以及P型開關(guān)隔離層，然后對P型開關(guān)隔離層的指定區(qū)域進行N型摻雜形成電壓信道層，以將P型開關(guān)隔離層劃分為第一開關(guān)隔離區(qū)和第二開關(guān)隔離區(qū)，在電壓信道層上形成N型連接區(qū)，并在N型連接區(qū)兩側(cè)形成第一源極摻雜層、第二源極摻雜層以及多個交替設(shè)置的P型摻雜結(jié)構(gòu)和N型溝道結(jié)構(gòu)，在P型摻雜結(jié)構(gòu)上形成柵極金屬層，通過柵極金屬層以及鰭狀結(jié)構(gòu)的P型摻雜結(jié)構(gòu)感應(yīng)得到多條電流通道達到源極，由P型摻雜結(jié)構(gòu)上的柵極金屬層感應(yīng)出電流通道即可開啟器件，從而可以同時兼顧低成本與器件效能。

本發(fā)明授權(quán)一種垂直型鰭狀功率器件及其制備方法、芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種垂直型鰭狀功率器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 在半導(dǎo)體襯底的正面依次外延生長N型漂移層以及P型開關(guān)隔離層； 對所述P型開關(guān)隔離層的指定區(qū)域進行N型摻雜形成電壓信道層，以將所述P型開關(guān)隔離層劃分為第一開關(guān)隔離區(qū)和第二開關(guān)隔離區(qū)； 在所述電壓信道層上形成N型連接區(qū)，并在所述N型連接區(qū)兩側(cè)形成第一源極摻雜層、第二源極摻雜層以及多個交替設(shè)置的P型摻雜結(jié)構(gòu)和N型溝道結(jié)構(gòu)；其中，所述第一源極摻雜層位于所述第一開關(guān)隔離區(qū)上，且通過所述N型溝道結(jié)構(gòu)與所述N型連接區(qū)連接，所述第二源極摻雜層位于所述第二開關(guān)隔離區(qū)上，且通過所述N型溝道結(jié)構(gòu)與所述N型連接區(qū)連接； 在所述P型摻雜結(jié)構(gòu)上形成柵極金屬層；其中，所述柵極金屬層與所述N型溝道結(jié)構(gòu)之間絕緣； 在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成漏極金屬層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)科技南路18號深圳灣科技生態(tài)園12棟裙樓904-905；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。