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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種基于Si/SiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC及運(yùn)行策略獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120262936B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510737507.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M7/483；該發(fā)明授權(quán)一種基于Si/SiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC及運(yùn)行策略是由涂春鳴;劉志豪;任鵬;郭祺;肖凡;龍柳;王鑫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種基于Si/SiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC及運(yùn)行策略在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基于SiSiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC及運(yùn)行策略，包括：三相電路拓?fù)洹⒔涣鱾?cè)輸出端口、第一直流側(cè)儲(chǔ)能電容，第二直流側(cè)儲(chǔ)能電容；所述三相電路拓?fù)洌ㄈ齻€(gè)相同的單相拓?fù)洌瑔蜗嗤負(fù)浒ㄉ蠘虮邸V波電感、復(fù)用冗余子模塊、下橋臂、濾波電感；復(fù)用冗余子模塊包括第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第三開(kāi)關(guān)管、第四開(kāi)關(guān)管、第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管，以及直流電容。通過(guò)引入復(fù)用冗余子模塊，對(duì)上、下橋臂分別進(jìn)行冗余配置，減少了冗余子模塊的配置數(shù)目的同時(shí)，也減少了散熱器、電容器等器件的配置，能夠有效優(yōu)化MMC的配置成本。

本發(fā)明授權(quán)一種基于Si/SiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC及運(yùn)行策略在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于SiSiC集約型冗余模塊雙端共享的混合型MMC，其特征在于，包括：三相電路拓?fù)洹⒔涣鱾?cè)輸出端口u oa、第一直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 1，第二直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 2； 所述三相電路拓?fù)洌ㄈ齻€(gè)相同的單相拓?fù)洌鰡蜗嗤負(fù)浒ㄉ蠘虮跘RMp、上橋臂濾波電感L arm1、復(fù)用冗余子模塊MRSM、下橋臂ARMn、下橋臂濾波電感L arm2； 所述復(fù)用冗余子模塊MRSM包括第一開(kāi)關(guān)管S R1、第二開(kāi)關(guān)管S R2、第三開(kāi)關(guān)管S R3、第四開(kāi)關(guān)管S R4、第五開(kāi)關(guān)管S R5和第六開(kāi)關(guān)管S R6，以及直流電容C R，所述復(fù)用冗余子模塊MRSM還設(shè)置有三個(gè)對(duì)外的連接端口，分別為p、n、o端口，所述第一開(kāi)關(guān)管S R1、所述第二開(kāi)關(guān)管S R2、所述第三開(kāi)關(guān)管S R3、所述第四開(kāi)關(guān)管S R4均為SiIGBT管，所述第五開(kāi)關(guān)管S R5、所述第六開(kāi)關(guān)管S R6均為SiCMOSFET管； 所述第一開(kāi)關(guān)管S R1的集電極、所述第三開(kāi)關(guān)管S R3的集電極和所述第五開(kāi)關(guān)管S R5的漏極均連接于所述直流電容C R的正極，所述第二開(kāi)關(guān)管S R2的發(fā)射極、所述第四開(kāi)關(guān)管S R4的發(fā)射極、所述第六開(kāi)關(guān)管S R6的源極均連接于所述直流電容C R的負(fù)極，所述第一開(kāi)關(guān)管S R1的發(fā)射極、所述第二開(kāi)關(guān)管S R2的集電極均連接于所述端口p；所述第三開(kāi)關(guān)管S R3的發(fā)射極、所述第四開(kāi)關(guān)管S R4的集電極與所述端口n相連，所述第五開(kāi)關(guān)管S R5的源極、所述第六開(kāi)關(guān)管S R6的漏極均連接于所述端口o；所述p端口與所述上橋臂濾波電感L arm1的一端相連，所述n端口與所述下橋臂濾波電感L arm2的一端相連，所述o端口與所述交流側(cè)輸出端口u oa相連； 所述上橋臂ARMp和所述下橋臂ARMn均包含多個(gè)半橋子模塊SMaN，所述多個(gè)半橋子模塊以串聯(lián)方式相連，所述上橋臂ARMp中的最后一個(gè)半橋子模塊一端連接于上橋臂濾波電感L arm1的另一端，所述下橋臂ARMn中的第一個(gè)半橋子模塊的一端連接于下橋臂濾波電感L arm2的另一端；所述上橋臂ARMp中的第一個(gè)半橋子模塊的一端與所述第一直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 1的正極相連；所述下橋臂ARMn中的最后一個(gè)半橋子模塊的與所述第二直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 2的負(fù)極相連，所述第一直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 1的負(fù)極和所述第二直流側(cè)儲(chǔ)能電容C 2的正極均連接于接地端。

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