中國(guó)科學(xué)院微電子研究所韓春蕊獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院微電子研究所申請(qǐng)的專利一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN111722310B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201910216980.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G02B5/00;該發(fā)明授權(quán)一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法是由韓春蕊;葉劍挺;齊月靜;王宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-03-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法,該裝置包括:一高導(dǎo)電材料襯底;在高導(dǎo)電材料襯底上形成的一絕緣層;在絕緣層上形成的一二維晶體單層;在二維晶體單層上形成的一透光介質(zhì)層;以及在透光介質(zhì)層上形成的具有周期性單元結(jié)構(gòu)的金屬納米超材料。本發(fā)明基于金屬表面等離激元共振原理,利用金屬納米超材料各向異性共振場(chǎng)調(diào)控半導(dǎo)體熒光場(chǎng),實(shí)現(xiàn)偏振熒光并達(dá)到偏振可調(diào)的目的。本發(fā)明調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法,有效拓寬了二維晶體禁帶熒光的線性可調(diào)范圍和溫度適用范圍。
本發(fā)明授權(quán)一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置和方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種調(diào)制二維晶體禁帶熒光偏振性的裝置,包括: 一高導(dǎo)電材料襯底; 在所述高導(dǎo)電材料襯底上形成的一絕緣層,其中,所述絕緣層是SiO2或Al2O3; 在所述絕緣層上形成的一二維晶體單層,其中,所述二維晶體單層為過渡金屬硫族化合物MX2,M=Mo、W;X=S、Se、Te; 在所述二維晶體單層上形成的一透光介質(zhì)層;以及 在所述透光介質(zhì)層上形成的具有周期性單元結(jié)構(gòu)的金屬納米超材料。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院微電子研究所,其通訊地址為:100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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