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龍圖騰網獲悉新唐科技日本株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208328B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411290829.X，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體裝置是由林雅弘;井上翼設計研發完成，并于2023-04-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：半導體裝置具備半導體襯底、半導體層、形成在半導體層的第1區域的第1縱型MOS晶體管、在半導體層的平面視圖中形成在與第1區域鄰接的第2區域的第2縱型MOS晶體管。平面視圖中，第1區域和第2區域是將半導體層在面積上二等分的一方和另一方，第1區域中形成有第1縱型MOS晶體管的第1源極電極和第1源極焊盤以及第1柵極電極和第1柵極焊盤，第2區域中形成有第2縱型MOS晶體管的第2源極電極和第2源極焊盤以及第2柵極電極和第2柵極焊盤，第1源極電極的形狀和第2源極電極的形狀不處于以半導體層的中心為對稱中心的點對稱關系，第1源極電極的形狀和第2源極電極的形狀不處于以第1區域與上述第2區域的邊界線為對稱軸的線對稱關系。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，是能夠面朝下安裝的芯片尺寸封裝型的半導體裝置，其特征在于， 具備： 半導體襯底； 半導體層，形成在上述半導體襯底上； 第1縱型MOS晶體管，形成在上述半導體層的第1區域，具有多個第1柵極溝槽； 第2縱型MOS晶體管，在上述半導體層的平面視圖中形成在與上述第1區域鄰接的第2區域，具有多個第2柵極溝槽；以及 金屬層，與上述半導體襯底的背面接觸而形成； 上述半導體襯底是上述第1縱型MOS晶體管及上述第2縱型MOS晶體管的共通漏極區域； 在上述平面視圖中，上述第1區域和上述第2區域是將上述半導體層在面積上二等分的一方和另一方； 在上述平面視圖中，在上述第1區域中形成有上述第1縱型MOS晶體管的第1源極電極和第1源極焊盤以及第1柵極電極和第1柵極焊盤； 在上述平面視圖中，在上述第2區域中形成有上述第2縱型MOS晶體管的第2源極電極和第2源極焊盤以及第2柵極電極和第2柵極焊盤； 上述第1源極電極具有在上述平面視圖中上述第1源極電極的形狀與上述第2源極電極的形狀不處于以上述半導體層的中心為對稱中心的點對稱關系并且不處于以上述第1區域與上述第2區域的邊界線為對稱軸的線對稱關系的部位。

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