臺灣積體電路制造股份有限公司葉書伸獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113594045B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110259187.7，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權半導體結構及其形成方法是由葉書伸;楊哲嘉;許佳桂;林柏堯;鄭心圃;林嘉祥設計研發完成，并于2021-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：方法包括形成第一介電層，形成第一再分布線，第一再分布線包括延伸至第一介電層中的第一通孔和位于第一介電層上方的第一跡線，形成覆蓋第一再分布線的第二介電層，以及圖案化第二介電層以形成通孔開口。第一再分布線通過通孔開口露出。方法還包括將導電材料沉積至通孔開口中以在第二介電層中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接觸第二通孔的導電焊盤，以及在導電焊盤上方形成導電凸塊。導電焊盤大于導電凸塊，并且第二通孔從導電凸塊的中心線偏離。本申請的實施例還涉及半導體結構及其形成方法。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體結構的方法，包括： 形成第一介電層； 形成第一再分布線，所述第一再分布線包括延伸至所述第一介電層中的第一通孔和位于所述第一介電層上方的第一跡線； 形成覆蓋所述第一再分布線的第二介電層； 圖案化所述第二介電層以形成通孔開口，其中，所述第一再分布線通過所述通孔開口露出； 將導電材料沉積至所述通孔開口中，以在所述第二介電層中形成第二通孔以及位于所述第二通孔上方并接觸所述第二通孔的導電焊盤；以及 在所述導電焊盤上方形成導電凸塊，其中，所述導電焊盤大于所述導電凸塊，并且所述第二通孔從所述導電凸塊的中心線偏離， 其中，所述第一通孔從所述導電凸塊的中心線偏離，并且所述第一通孔和所述第二通孔在所述導電凸塊的中心線的相對側，并且所述第一通孔和所述第二通孔均部分地設置在所述導電凸塊的橫向范圍內并且完全地設置在所述導電焊盤的橫向范圍內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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