合肥致真光源科技有限公司張曉強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥致真光源科技有限公司申請的專利一種自旋太赫茲高效發射器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115133380B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210917436.1，技術領域涉及：H01S1/02；該發明授權一種自旋太赫茲高效發射器是由張曉強設計研發完成，并于2022-08-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種自旋太赫茲高效發射器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種自旋太赫茲高效發射器，包括襯底，所述襯底的一側依次堆疊有一維周期性光子晶體、二氧化硅插層和自旋太赫茲源；所述一維周期性光子晶體由多個一維光子晶體基元層疊組成，所述一維光子晶體基元包括氮化硅層和二氧化硅層。本發明通過一維周期性光子晶體與自旋太赫茲源相互作用，在其界面處實現塔姆等離激元的激發，進而實現飛秒激光的高效吸收，理論上飛秒激光吸收率可達100％，從而提升自旋太赫茲的發射效率。此外，由于一維周期性光子晶體的引入，不存在透過自旋太赫茲高效發射器的飛秒激光，省去陶瓷片、硅片等元件的試用，降低系統的體積和復雜度。
本發明授權一種自旋太赫茲高效發射器在權利要求書中公布了：1.一種自旋太赫茲高效發射器，其特征在于：包括襯底，所述襯底的一側依次堆疊有一維周期性光子晶體、二氧化硅插層和自旋太赫茲源；所述一維周期性光子晶體由多個一維光子晶體基元層疊組成，所述一維光子晶體基元包括氮化硅層和二氧化硅層； 所述自旋太赫茲源包括磁性層和非磁性層，所述磁性層和非磁性層構成異質結構；所述磁性層的材料為具有磁性的金屬；所述非磁性層的材料為非磁性金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥致真光源科技有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市肥西縣經濟開發區繁華大道與大觀亭路交口西南角立恒工業廣場二期A12棟507室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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