華燦光電(浙江)有限公司芮哲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440864B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210950041.1，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法是由芮哲;高艷龍;秦雙嬌;尹靈峰設計研發完成，并于2022-08-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：襯底、外延層、絕緣層、透明導電層、第一電極和第二電極；所述襯底、所述外延層和所述絕緣層依次層疊，所述絕緣層具有露出所述外延層的過孔，所述透明導電層位于所述絕緣層遠離所述襯底的表面，且通過所述過孔延伸至所述外延層的表面；所述第一電極位于所述透明導電層遠離所述襯底的表面，所述第一電極在所述襯底上的正投影位于所述過孔在所述襯底上的正投影之外，所述第二電極位于所述外延層的表面，且與所述透明導電層絕緣。本公開實施例能改善發光區域縮小后，因電極吸光而影響發光效率的問題。
本發明授權改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：襯底10、外延層20、絕緣層30、透明導電層40、第一電極51和第二電極52； 所述襯底10、所述外延層20和所述絕緣層30依次層疊，所述絕緣層30具有露出所述外延層20的過孔33，所述透明導電層40位于所述絕緣層30遠離所述襯底10的表面，且通過所述過孔33與所述外延層20相連； 所述第一電極51位于所述透明導電層40遠離所述襯底10的表面，所述第一電極51在所述襯底10上的正投影位于所述過孔33在所述襯底10上的正投影之外，所述外延層20包括依次層疊于所述襯底10上的第一半導體層21、多量子阱層22和第二半導體層23，所述第二電極52位于所述第一半導體層21的表面，且與所述透明導電層40絕緣。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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