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龍圖騰網獲悉北京特思迪半導體設備有限公司申請的專利基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119526258B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510099536.1，技術領域涉及：B24B37/013；該發明授權基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備是由周惠言;孟煒濤;孫昕宇;蔣繼樂設計研發完成，并于2025-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備，所述標定庫構建方法包括：在晶圓薄膜的拋光過程中利用多波長光束在線原位測量所述晶圓薄膜的厚度，并在多個不同厚度下獲取所述晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號；基于所述電信號隨著晶圓薄膜厚度的變化呈現的周期性規律以及所述多個不同厚度對應的電信號的值，確定用于所述拋光過程中測量晶圓薄膜厚度的標定庫。

本發明授權基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備在權利要求書中公布了：1.一種基于單波長光束測量晶圓薄膜厚度的方法，其特征在于，包括： 在晶圓薄膜的拋光過程中，確定啟用單波長光束測量時所述晶圓薄膜的起始厚度，進而開始監測所述晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號； 利用構建的標定庫、監測得到的電信號的值和所述起始厚度確定晶圓薄膜的厚度，其中，構建所述標定庫具體為：在晶圓薄膜的拋光過程中利用多波長光束在線原位測量所述晶圓薄膜的厚度，并在多個不同厚度下獲取所述晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號； 基于所述電信號隨著晶圓薄膜厚度的變化呈現的周期性規律以及所述多個不同厚度對應的電信號的值，確定用于所述拋光過程中測量晶圓薄膜厚度的標定庫，進一步包括：利用至少兩個不同厚度及相應的電信號的值，確定電信號與厚度的對應關系模型作為所述標定庫； 或者，根據所述電信號的周期確定采樣范圍，所述采樣范圍大于或等于半個所述周期，在所述晶圓薄膜的厚度在所述采樣范圍內時采集所述電信號，從而得到任意厚度范圍與電信號的對應數據作為所述標定庫； 或者，隨著所述晶圓薄膜的厚度變化實時采集所述電信號，監測采集的所述電信號中是否依次出現至少兩個極值，所述至少兩個極值之間的電信號為至少半個周期的電信號，從而得到任意厚度范圍與電信號的對應數據作為所述標定庫。

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