黑龍江大學高揚獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117053423B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311025366.X，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器是由高揚;王金成;張景煜;馮恒利;張作鑫;房冬超;劉暢設計研發完成，并于2023-08-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器在說明書摘要公布了：本發明超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器屬于微納光電子技術領域；所述吸收器為多個相同單元在XOY平面組成的陣列結構，每個所述單元由下到上依次包括基底層、介質層和超材料層；所述超材料層由內到外依次包括四棱臺結構、圓筒結構和四個圓柱體結構，所述四棱臺結構與所述圓筒結構同心設置，且嵌入在圓筒結構中，四個所述圓柱體結構均勻分布于圓筒結構外部；本發明只有基底層、介質層和超材料層三個實體結構，易于加工制作，降低成本；在300nm?4000nm波段范圍內，平均吸收率能夠達到96.5％以上，實現了超帶寬高吸收率；在0?70°入射角范圍內，平均吸收率能夠達到92％以上，實現了偏振不敏感性。
本發明授權超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器在權利要求書中公布了：1.超寬帶偏振不敏感的超材料太陽能吸收器，為多個相同單元在XOY平面組成的陣列結構，每個所述單元由下到上依次包括基底層1、介質層2和超材料層3，所述基底層1上方緊貼有介質層2，介質層2上方設置有超材料層3；所述基底層1和所述介質層2向XOY平面的投影為正方形，邊界與X方向和Y方向平行； 其特征在于， 所述超材料層3由內到外依次包括四棱臺結構3-1、圓筒結構3-2和四個圓柱體結構3-3，所述四棱臺結構3-1與所述圓筒結構3-2同心設置，且嵌入在圓筒結構3-2中，四個所述圓柱體結構3-3均勻分布于圓筒結構3-2外部； 所述四棱臺結構3-1的橫截面向XOY平面投影為正方形，邊界與X方向和Y方向平行，所述四個圓柱體結構3-3的橫截面為四個圓形，所述四個圓形的圓心構成正方形，邊界與X方向和Y方向平行； 所述基底層1為金材料，所述介質層2為砷化鎵材料，所述超材料層3為鈦材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人黑龍江大學，其通訊地址為：150080 黑龍江省哈爾濱市南崗區學府路74號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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