三菱電機株式會社佐佐木肇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利化合物半導體的晶體缺陷觀察方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114599965B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980101687.9，技術領域涉及：G01N23/04；該發明授權化合物半導體的晶體缺陷觀察方法是由佐佐木肇設計研發完成，并于2019-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本化合物半導體的晶體缺陷觀察方法在說明書摘要公布了：將在纖鋅礦結構的化合物半導體1的c面0001上沿[2－1－10]方向形成有柵電極3的設備以10－10面切割，制作試樣4。通過使用透射式電子顯微鏡使電子束5從[－1010]方向入射到試樣4，觀察伯格斯矢量為13[2－1－10]、13[－2110]的刃型位錯和伯格斯矢量為13[2－1－13]、13[－2113]的混合位錯。
本發明授權化合物半導體的晶體缺陷觀察方法在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體的晶體缺陷觀察方法，其特征在于，具備： 將在纖鋅礦結構的化合物半導體的c面（0001）上沿［2－1－10］方向形成有柵電極的設備以（10－10）面切割，制作試樣的工序；和 通過使用透射式電子顯微鏡使電子束從［－1010］方向入射到所述試樣，觀察伯格斯矢量為1／3［2－1－10］、1／3［－2110］的刃型位錯和伯格斯矢量為1／3［2－1－13］、1／3［－2113］的混合位錯的工序。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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