三星電子株式會社張星旭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112002758B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010401894.0，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件是由張星旭;金奇奐;鄭秀珍;曹榮大設計研發完成，并于2020-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件在說明書摘要公布了：一種半導體器件包括：在襯底上在第一方向上延伸的有源區，該有源區具有上表面和側壁；多個溝道層，其在有源區上方以彼此豎直間隔開；柵電極，其在第二方向上延伸以與有源區交叉并部分地圍繞所述多個溝道層；以及源極漏極區，其在有源區上在柵電極的至少一側并與所述多個溝道層接觸，并且從有源區的側壁延伸，并且在與所述多個溝道層當中與有源區相鄰的最下溝道層相鄰的第一區域中在第二方向上具有大寬度。
本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 在襯底上在第一方向上延伸的有源區，所述有源區具有上表面和側壁； 多個溝道層，其在所述有源區上以彼此豎直地間隔開； 柵電極，其在第二方向上延伸以與所述有源區交叉并圍繞所述多個溝道層；以及 源極漏極區，其在所述有源區上在所述柵電極的至少一側并與所述多個溝道層接觸，并且從所述有源區的側壁延伸，所述源極漏極區在與所述多個溝道層當中的與所述有源區相鄰的最下溝道層相鄰的第一區域中在所述第二方向上具有大寬度， 其中，所述多個溝道層在所述第二方向上具有彼此相同的寬度，并且 其中，所述大寬度在所述最下溝道層的下表面與所述有源區的上表面之間的高度處。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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