中國科學院上海技術物理研究所李天信獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海技術物理研究所申請的專利一種測定薄膜功函數的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119715685B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411907615.2，技術領域涉及：G01N27/00；該發明授權一種測定薄膜功函數的方法是由李天信;程悅;辛蕊;張帥君;夏輝;鄧偉杰;劉偉偉;毛飛宇設計研發完成，并于2024-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種測定薄膜功函數的方法在說明書摘要公布了：一種測定薄膜功函數的方法。步驟是：A使用標準試樣對開爾文探針力顯微鏡測量表面電勢進行標定；B在待測薄膜上加工隔離槽，分隔待測區域與周邊的薄膜區域；C對隔離出的待測區域進行減薄，消除表面氧化和吸附對測量的影響；D使用開爾文探針力顯微鏡測量薄膜待測區域相對導電針尖的電勢；E根據開爾文探針力顯微鏡在標準試樣和待測薄膜上測得的相對電勢，計算出薄膜的功函數，即待測薄膜的功函數等于標準試樣的已知功函數加上開爾文探針力顯微鏡在標準試樣和待測試樣上測得的相對電勢之差。本發明排除金屬或合金表面氧化及吸附效應的影響，獲得真實、高精度的功函數值；可以提供納米級的空間分辨率和定位能力，適用于對薄膜進行原位的測量。
本發明授權一種測定薄膜功函數的方法在權利要求書中公布了：1.一種測定薄膜功函數的方法，其特征在于：它包括以下步驟： A、使用標準試樣對開爾文探針力顯微鏡測量表面電勢進行標定； B、在待測薄膜上加工隔離槽，分隔待測區域與周邊的薄膜區域； C、對隔離出的待測區域進行減薄，消除表面氧化和吸附對測量的影響； D、使用開爾文探針力顯微鏡測量薄膜待測區域相對導電針尖的電勢； E、根據開爾文探針力顯微鏡在標準試樣和待測薄膜上測得的相對電勢，計算出薄膜的功函數，即待測薄膜的功函數等于標準試樣的已知功函數加上開爾文探針力顯微鏡在標準試樣和待測試樣上測得的相對電勢之差。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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