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龍圖騰網獲悉海信家電集團股份有限公司申請的專利RC-IGBT結構及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119451148B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411919622.4，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權RC-IGBT結構及半導體器件是由王猛;凌小歡;儲金星;葉嵩;何濠啟設計研發完成，并于2024-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本RC-IGBT結構及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種RC?IGBT結構及半導體器件。RC?IGBT結構包括：基體；第一導電類型的漂移區；第二導電類型的集電區；溝槽柵；第二導電類型的基區；第一導電類型的第一發射區；第二導電類型的第二發射區；第二導電類型的第一陽極區，設于漂移區朝向第二主面的一側；第一導電類型的第二陽極區，設于漂移區朝向第二主面的一側，第二陽極區在水平方向上的兩側和第二陽極區朝向第一主面的一側均與第一陽極區接觸；第一導電類型的溝道截止區，設于第一陽極區遠離溝槽柵的一側；平面柵，設置于第二主面，且與第一陽極區和第二陽極區接觸；其中，集電區通過外部連接線與第一陽極區和第二陽極區導電連接。根據本申請的RC?IGBT結構及半導體器件，可以有效消除電壓回跳現象。

本發明授權RC-IGBT結構及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種RC-IGBT結構，其特征在于，包括： 基體，所述基體具有第一主面及與第一主面相反側的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在豎直方向上間隔設置； 第一導電類型的漂移區，所述漂移區設于所述第一主面和所述第二主面之間； 第二導電類型的集電區，所述集電區設于所述漂移區朝向所述第一主面的一側，所述集電區遠離所述漂移區的一側構成所述第一主面的至少部分； 溝槽柵，所述溝槽柵自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移區中； 第二導電類型的基區，所述基區設于所述漂移區朝向所述第二主面的一側，且位于所述溝槽柵在水平方向上的兩側； 第一導電類型的第一發射區，所述第一發射區設于所述基區朝向所述第二主面的一側，所述第一發射區遠離所述基區的一側構成部分所述第二主面； 第二導電類型的第二發射區，所述第二發射區設于所述基區朝向所述第二主面的一側，且位于所述第一發射區遠離所述溝槽柵的一側，所述第二發射區遠離所述基區的一側構成部分所述第二主面； 第二導電類型的第一陽極區，所述第一陽極區設于所述漂移區朝向所述第二主面的一側，所述第一陽極區遠離所述第一主面的一側構成部分所述第二主面； 第一導電類型的第二陽極區，所述第二陽極區設于所述第一陽極區朝向所述第二主面的一側，所述第二陽極區在水平方向上的兩側和所述第二陽極區朝向所述第一主面的一側均與所述第一陽極區接觸，所述第二陽極區遠離所述第一主面的一側構成部分所述第二主面； 第一導電類型的溝道截止區，所述溝道截止區設于所述第一陽極區遠離所述溝槽柵的一側； 平面柵，所述平面柵設置于所述第二主面，且與所述第一陽極區和所述第二陽極區接觸，溝道截止區遠離第一主面的一側構成部分第二主面； 其中，所述集電區通過外部連接線與所述第一陽極區和所述第二陽極區導電連接。

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