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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利一種光學臨近效應修正方法、半導體結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119620559B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411932614.3，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權一種光學臨近效應修正方法、半導體結構及制備方法是由萇現;朱畫;張帆設計研發完成，并于2024-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種光學臨近效應修正方法、半導體結構及制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種光學臨近效應修正方法、半導體結構及制備方法，將初始掩膜圖形的邊緣分割成多個片段，并獲取各片段各自對應的初始切割線；確定初始切割線的當前位置對應的初始邊緣放置誤差；根據第一初始邊緣放置誤差調整各片段的位置，得到中間掩膜圖形；在中間掩膜圖形的線端存在第二邊緣放置誤差的情況下，基于切割線移動比率調整初始切割線在片段上的位置，至仿真晶圓圖形和參考掩膜圖形匹配，得到目標掩膜圖形。本申請根據切割線移動比率移動切割線以逐步調整中間掩膜圖形的線端，降低了線端的邊緣放置誤差，也提高了線端的曲率和包容度，提升了修正后目標掩膜圖形的精準性和質量。

本發明授權一種光學臨近效應修正方法、半導體結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光學臨近效應修正方法，其特征在于，包括： 將初始掩膜圖形的邊緣分割形成多個片段，并獲取各片段各自對應的初始切割線，所述初始切割線與所述片段正交； 確定所述初始切割線的當前位置對應的初始邊緣放置誤差；所述初始邊緣放置誤差包括掩膜圖形的線寬方向的第一初始邊緣放置誤差和線端位置的第二初始邊緣放置誤差； 根據所述第一初始邊緣放置誤差調整各所述片段的位置，至仿真晶圓圖形和所述初始掩膜圖形對應的參考掩膜圖形的線寬匹配，得到中間掩膜圖形；所述仿真晶圓圖形是基于調整后的初始掩膜圖形進行光刻仿真得到的光刻圖形，所述參考掩膜圖形是所述初始掩膜圖形對應的在無光學臨近效應影響時所得到的目標光刻圖形； 在所述中間掩膜圖形的線端存在所述第二初始邊緣放置誤差的情況下，基于切割線移動比率調整所述初始切割線在所述片段上的位置，至所述仿真晶圓圖形和所述參考掩膜圖形匹配，得到目標掩膜圖形；所述切割線移動比率指的是在所述初始掩膜圖形或者所述中間掩膜圖形的線端，切割線在對應片段上的移動角度；所述切割線移動比率是基于所述初始掩膜圖形的線端長度和工藝節點確定的。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：311418 浙江省杭州市富陽區靈橋鎮濱富大道135號(濱富合作區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。