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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國石油大學(xué)(華東)申請的專利一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法及其應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119715497B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411987528.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/65；該發(fā)明授權(quán)一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法及其應(yīng)用是由于連棟;周文博;高榮科;賈華坤設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法及其應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法及其應(yīng)用，屬于表面增強(qiáng)拉曼光譜檢測與微流控技術(shù)領(lǐng)域。制備步驟包括：S1，單層PS微球自組裝在PET上；S2，光刻膠倒模形成微碗陣列；S3，單層PS納米球自組裝在碗內(nèi)；S4，ICP刻蝕納米球形成碗內(nèi)錐陣列；S5，電子束蒸鍍一層金膜；S6，基底表征；S7，基底功能化；S8，微流控芯片的制備及與SERS基底的封接；S9，重金屬離子痕量檢測。本發(fā)明提出的分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底性質(zhì)穩(wěn)定，不易被氧化，結(jié)構(gòu)均一，具有大的比表面積，含有豐富的熱點，其微納分級結(jié)構(gòu)能夠更好的調(diào)控入射電磁光場，從而增強(qiáng)拉曼散射效應(yīng)，對于待測物的痕量檢測具有重大意義。

本發(fā)明授權(quán)一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法及其應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S1，單層PS微球自組裝在PET上； 對載玻片進(jìn)行親水性處理，在載玻片親水表面滴加去離子水形成水膜； PS微球母溶液與乙醇混合，將配好的PS微球乙醇混合液在玻璃片的邊角逐滴滴加，微球在水膜上自組裝成單層； 自然風(fēng)干后，將單層PS微球從載玻片轉(zhuǎn)移到燒杯中的去離子水表面； 單層PS微球通過提拉法被轉(zhuǎn)移到PET薄膜上； 自然干燥后，得到帶有單層PS微球的PET薄膜； 步驟S2，光刻膠倒模形成微碗陣列； 將步驟S1得到的帶有單層PS微球的PET薄膜放在加熱板上加熱，隨后傾倒光刻膠，并用聚二甲基硅氧烷PDMS模具壓??；紫外光固化后，將固化的光刻膠剝離并在甲苯溶液中浸泡，溶解PS微球后，在光刻膠上形成微碗陣列； 步驟S3，單層PS納米球自組裝在微碗內(nèi)； 將步驟S2制備的基底經(jīng)過親水處理之后，單層PS納米球通過提拉法從去離子水表面轉(zhuǎn)移到光刻膠微碗陣列里； 步驟S4，ICP刻蝕納米球形成碗內(nèi)錐陣列； 將步驟S3得到的微碗內(nèi)自組裝了PS納米球的光刻膠基底放置在感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)的腔室中進(jìn)行刻蝕，在微碗內(nèi)形成周期性納米錐陣列，獲得碗內(nèi)錐陣列光刻膠基底； 步驟S5，電子束蒸鍍一層金膜； 將步驟S4獲得的碗內(nèi)錐陣列光刻膠基底放置在真空鍍膜儀的腔室中，沉積一層金膜，最終在納米錐上形成金納米顆粒，獲得分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底，完成分級微碗內(nèi)錐陣列SERS基底的制備。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國石油大學(xué)(華東)，其通訊地址為：266580 山東省青島市黃島區(qū)長江西路66號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。