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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種MEMS加速度計、地震檢波器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119986042B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510222078.6，技術領域涉及：G01P15/125；該發明授權一種MEMS加速度計、地震檢波器及制備方法是由劉驊鋒;魏星宇;徐嬌;張少林;王秋設計研發完成，并于2025-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS加速度計、地震檢波器及制備方法在說明書摘要公布了：本申請屬于MEMS器件領域，具體公開了一種MEMS加速度計、地震檢波器及制備方法，加速度計的敏感單元在SOI制備，包括：外框架、質量塊、彈簧結構、拾取結構、第一反饋電容結構以及第二反饋電容結構；彈簧結構制備在SOI第一層，第一反饋電容結構和第二反饋電容結構制備在SOI第三層，第一層和第三層為襯底層和器件層的任一種組合；第一反饋電容結構和第二反饋電容結構分別設置在質量塊的敏感軸和垂直敏感軸方向，且分別為變面積電容和變間距電容；拾取結構設置在SOI第一層質量塊的上方。通過本申請，基于SOI工藝降低MEMS加速度計所占面積，且可將傳感信號和反饋信號通過SOI的絕緣層隔離，提升加速度計檢測精度，并調控加速度計反饋執行的線性度。

本發明授權一種MEMS加速度計、地震檢波器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS加速度計，其特征在于，包括：敏感單元； 所述敏感單元包括：外框架、質量塊、彈簧結構、拾取結構、第一反饋電容結構以及第二反饋電容結構； 所述外框架的上端、質量塊的上端以及彈簧結構在SOI的第一層制備得到；所述彈簧結構將質量塊與外框架連接； 所述外框架的中端、質量塊的中端在SOI的第二層制備得到； 所述外框架的下端、質量塊的下端、第一反饋電容結構以及第二反饋電容結構在SOI的第三層制備得到；所述第二層為絕緣層，第一層和第三層為襯底層和器件層的任一種組合；所述第一反饋電容結構和第二反饋電容結構分別設置在質量塊的敏感軸和垂直敏感軸方向，且分別為變面積電容和變間距電容；兩個反饋電容結構的動極板與質量塊連接，定極板與外框架連接；所述外框架上設置有多個貫穿SOI第三層的隔離槽，用于將第一反饋電容結構和第二反饋電容結構中不同極性和不同類型的定極板電隔離； 所述拾取結構設置在質量塊上端的上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。