買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州譜析光晶半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種MOSFET器件及制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120187073B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510645699.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)一種MOSFET器件及制造方法是由許一力;李鑫;劉倩倩設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種MOSFET器件及制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及MOS半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種MOSFET器件及制造方法，包括由若干個相互并列的MOS元胞構(gòu)成，單個所述MOS元胞包括漏極、源極、柵極、介質(zhì)層以及半導(dǎo)體外延層，所述半導(dǎo)體外延層包括N襯底層、N漂移層、負(fù)載P+層、P阱層和N阱層，所述P阱層包括P阱一層和P阱二層，并且P阱一層和P阱二層的截面輪廓均呈“L”字形狀；所述P阱一層和P阱二層之間設(shè)有導(dǎo)電介質(zhì)，所述柵極還包括有U型柵，其中U型柵的開口向下，所述U型柵的開口內(nèi)填充有高K介質(zhì)。本發(fā)明通過通過U型柵結(jié)構(gòu)填充高k介質(zhì)，增大了柵極對溝道的控制面積，顯著降低漏電流，同時保持高柵電容，提升器件的開關(guān)速度和能效比。

本發(fā)明授權(quán)一種MOSFET器件及制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOSFET器件，包括由若干個相互并列的MOS元胞構(gòu)成，單個所述MOS元胞包括漏極（1）、源極（2）、柵極（3）、介質(zhì)層（4）以及半導(dǎo)體外延層，所述半導(dǎo)體外延層包括N襯底層（5）、N漂移層（6）、負(fù)載P+層（7）、P阱層和N阱層（10），其特征在于：所述P阱層包括P阱一層（8）和P阱二層（9），并且P阱一層（8）和P阱二層（9）的截面輪廓均呈“L”字形狀；所述P阱一層（8）和P阱二層（9）之間設(shè)有導(dǎo)電介質(zhì)（11）； 所述柵極（3）還包括有U型柵（31），其中U型柵（31）的開口向下； 所述U型柵（31）的開口內(nèi)填充有高K介質(zhì)（12）。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人杭州譜析光晶半導(dǎo)體科技有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)航錢路168號3幢4層405(自主分割)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。