東莞市龍誼電子科技有限公司曾敏毓獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東莞市龍誼電子科技有限公司申請的專利一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120208252B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510678943.8，技術領域涉及：C01B33/18；該發明授權一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法是由曾敏毓;陳溪泉;秦峰設計研發完成，并于2025-05-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法在說明書摘要公布了：本發明涉及二氧化硅表面改性技術領域，具體涉及一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法，該二氧化硅中空球包括：由二氧化硅構成的中空球形結構、通過共價鍵接枝于內核層表面的氨基硅烷層、以氨基為成核位點原位生長的ZIF?8晶體層以及分布于MOF晶體外表面的硫醇基團。本發明的目的在于提供一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法，具有該復合層的二氧化硅中空球在LCP基體中具有良好的相容性和穩定性，且介電損耗較少，有效提升高頻FPC的性能。
本發明授權一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球、制作方法及介電損耗預測方法在權利要求書中公布了：1.一種具有MOF復合層的二氧化硅中空球，其特征在于，包括： 內核層：由二氧化硅構成的中空球形結構，平均粒徑為200-800nm，壁厚20-50nm，比表面積≥350； 橋連層：通過共價鍵接枝于內核層表面的氨基硅烷層，氨基密度為2.5-3.2個，層厚為1-3nm； MOF晶體層：以氨基為成核位點原位生長的ZIF-8晶體層，厚度為50-150nm，晶體尺寸為20-50nm，孔徑為3.3-3.5?； 功能化表層：分布于MOF晶體外表面的硫醇基團，硫元素含量為0.5-2wt%，且滿足以下結構關系： 其中，為硫醇基團密度，為氨基密度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東莞市龍誼電子科技有限公司，其通訊地址為：523570 廣東省東莞市常平鎮橋瀝南門路8號之一；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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