長鑫新橋存儲技術有限公司梁康寧獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉長鑫新橋存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制作方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239273B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510703374.8，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構是由梁康寧設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體結構的制作方法及半導體結構。半導體結構的制作方法包括：提供基底，基底包括多個有源區、設置于有源區上的柵極結構以及隔離層，相鄰柵極結構之間設置有隔離結構，隔離層覆蓋柵極結構和隔離結構，并將柵極結構與隔離結構之間的空間填充；于隔離層上形成多個開口，每一個開口的底部暴露部分有源區，靠近隔離結構設置的開口的側面暴露出至少部分隔離結構的表面；形成保護層，保護層至少覆蓋經開口的側面暴露出的隔離結構的表面；經過開口的底面對各個有源區進行離子注入工藝形成源區或漏區；于各個開口中形成導電插塞，導電插塞與對應的源區或漏區連接。通過設置保護層，避免破壞隔離結構，提高了半導體結構制作的可靠性。
本發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法包括： 提供基底，所述基底包括多個有源區、設置于所述有源區上的柵極結構以及隔離層，相鄰所述柵極結構之間設置有隔離結構，所述隔離層覆蓋所述柵極結構和所述隔離結構，并將所述柵極結構與所述隔離結構之間的空間填充； 于所述隔離層上形成多個開口，每一個所述開口的底部暴露部分所述有源區，靠近所述隔離結構設置的所述開口的側面暴露出至少部分所述隔離結構的表面； 形成保護層，所述保護層至少覆蓋經所述開口的側面暴露出的所述隔離結構的表面； 經過所述開口的底面對各個所述有源區進行離子注入工藝形成源區或漏區； 于各個所述開口中形成導電插塞，所述導電插塞與對應的所述源區或漏區連接； 其中，所述形成保護層，包括： 通過沉積工藝形成所述保護層，所述保護層覆蓋所述隔離層的頂面以及所述開口的側面和底面； 去除位于所述開口底面上的所述保護層，以避免影響所述離子注入工藝。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫新橋存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區新淮大道2788號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號