浙江大學;上虞半導體材料研究中心方彥俊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學;上虞半導體材料研究中心申請的專利一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120322135B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202510787479.6,技術領域涉及:H10K71/12;該發(fā)明授權一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器及其制備方法是由方彥俊;劉慧;李雨陽;楊德仁設計研發(fā)完成,并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及X射線探測器領域,公開一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器及其制備方法。本發(fā)明中采用三元溶劑和有機中間層協(xié)同策略,通過采用由氯苯、甲苯和環(huán)己烷組成的三元溶劑制備X射線吸收層,適當提高溶劑揮發(fā)速度,改善由吸收層質量引起的離子遷移問題,從而抑制大偏壓下的暗電流漂移,提高暗電流穩(wěn)定性;通過在襯底和吸收層中間插入P3HT制得的有機中間層,在吸收層與襯底間建立有力的黏合作用,有效改善吸收層與襯底的層間結合力問題,提升器件機械穩(wěn)定性。基于兩者的共同作用能實現(xiàn)制備出具有強層間結合力、高暗電流穩(wěn)定性、優(yōu)異X射線響應能力的鈣鈦礦量子點X射線探測器。
本發(fā)明授權一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種基于鈣鈦礦量子點的X射線探測器的制備方法,其特征在于,包括步驟: 步驟1,將P3HT溶解在溶劑中,經過濾得到有機中間層前驅體; 步驟2,將APbX3型鉛鹵鈣鈦礦量子點、有機半導體溶于三元溶劑中,溶解后過濾制備吸收層前驅體;所述三元溶劑為甲苯、氯苯和環(huán)己烷的混合溶劑; 步驟3,在導電玻璃上沉積空穴傳輸層,經紫外-臭氧處理后在空穴傳輸層上旋涂步驟1制得的有機中間層前驅體,退火制得有機中間層; 步驟4,將霧化的吸收層前驅體沉積在有機中間層上,退火后真空干燥得到吸收層; 步驟5,在吸收層上依次沉積電子傳輸層和電極得到所述X射線探測器; 所述三元溶劑中甲苯、環(huán)己烷和氯苯的體積比為1:1.8-2.5:15-20; 所述APbX3型鉛鹵鈣鈦礦量子點中A為Cs+或CH3NH3 +;X為鹵素陰離子; 所述有機半導體為P3HT、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯、聚N-乙烯基咔唑、聚[2-甲氧基-5-2-乙基己氧基-1,4-苯乙炔]、聚[[9-1-辛基壬基-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]中的一種或幾種。
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