買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉國(guó)科大杭州高等研究院申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體光電探測(cè)器及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120322028B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510787089.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/21；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體光電探測(cè)器及制備方法是由鄭婉華;李明明;王天財(cái);宋春旭;王亮;杜曉宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體光電探測(cè)器及制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體光電探測(cè)器及制備方法，探測(cè)器包括功能層、吸收層、第一摻雜層和第二摻雜層，吸收層位于功能層的部分表面，吸收層具有相對(duì)的第一側(cè)面和第二側(cè)面；第一摻雜層位于功能層第一側(cè)表面和吸收層第一側(cè)面；第二摻雜層位于功能層第二側(cè)表面、吸收層第二側(cè)面和吸收層遠(yuǎn)離功能層的表面；第一摻雜層與第二摻雜層具有預(yù)設(shè)間距；第一摻雜層和第二摻雜層的摻雜類型不同。本發(fā)明半導(dǎo)體光電探測(cè)器通過(guò)第一摻雜層采用“L”字形摻雜結(jié)構(gòu)，第二摻雜層采用“乙”字形摻雜結(jié)構(gòu)，形成P+和N+歐姆接觸區(qū)，以優(yōu)化載流子輸運(yùn)路徑，有效縮短載流子的渡越時(shí)間，從而提高器件的工作帶寬，能夠適用于高速光電探測(cè)應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體光電探測(cè)器及制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體光電探測(cè)器，其特征在于，包括： 功能層； 吸收層，位于所述功能層的部分表面，所述吸收層具有沿第一方向相對(duì)的第一側(cè)面和第二側(cè)面； 第一摻雜層，所述第一摻雜層的第一側(cè)位于所述功能層的第一側(cè)表面，所述第一摻雜層的第二側(cè)位于所述吸收層的第一側(cè)面； 第二摻雜層，所述第二摻雜層的中部位于吸收層的第二側(cè)面，所述第二摻雜層的第一側(cè)位于所述功能層的第二側(cè)表面，所述第二摻雜層的第二側(cè)位于所述吸收層遠(yuǎn)離所述功能層的表面；所述第一摻雜層靠近所述第二摻雜層的一端與所述第二摻雜層靠近所述第一摻雜層的一端沿第一方向具有預(yù)設(shè)間距；所述第一摻雜層和所述第二摻雜層的摻雜類型不同； 其中，所述第一摻雜層包括相連的第一摻雜子區(qū)和第二摻雜子區(qū)，所述第一摻雜子區(qū)位于所述功能層的第一側(cè)表面，所述第二摻雜子區(qū)位于所述吸收層的第一側(cè)面； 所述第二摻雜層包括依次相連的第三摻雜子區(qū)、第四摻雜子區(qū)和第五摻雜子區(qū)；所述第三摻雜子區(qū)位于所述功能層的第二側(cè)表面，所述第四摻雜子區(qū)位于所述吸收層的第二側(cè)面，所述第五摻雜子區(qū)位于所述吸收層遠(yuǎn)離所述功能層的表面，所述第三摻雜子區(qū)的峰值摻雜深度大于所述第四摻雜子區(qū)的峰值摻雜深度，所述第三摻雜子區(qū)的峰值摻雜深度大于所述第五摻雜子區(qū)的峰值摻雜深度。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人國(guó)科大杭州高等研究院，其通訊地址為：310024 浙江省杭州市西湖區(qū)象山支弄1號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。