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龍圖騰網(wǎng)獲悉季華實(shí)驗(yàn)室申請的專利一種有半刻蝕孔的掩膜板獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120400754B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510896402.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/04；該發(fā)明授權(quán)一種有半刻蝕孔的掩膜板是由楊一新;卞曙光設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種有半刻蝕孔的掩膜板在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及OLED器件制造設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種有半刻蝕孔的掩膜板。所述有半刻蝕孔的掩膜板包括水平排列的多片掩膜片和至少一個遮蔽件；所述掩膜片包括開口區(qū)和非開口區(qū)；所述開口區(qū)內(nèi)豎向設(shè)置有多個通孔，每個通孔與基板上的像素坑對應(yīng)；所述遮蔽件的頂面設(shè)置有多個半蝕坑；所述半蝕坑用于吸附塵埃；每個半蝕坑與基板上的一個或多個像素坑對應(yīng)。本發(fā)明的掩膜板可以有效吸附真空蒸鍍過程中像素坑中及附近的塵埃，從而有效確保像素的質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)一種有半刻蝕孔的掩膜板在權(quán)利要求書中公布了：1.一種有半刻蝕孔的掩膜板，其特征在于，包括水平排列的多片掩膜片和至少一個遮蔽件；所述掩膜片包括開口區(qū)和非開口區(qū)；所述開口區(qū)內(nèi)豎向設(shè)置有多個通孔，每個通孔與基板上的像素坑對應(yīng)；所述遮蔽件的頂面設(shè)置有多個半蝕坑；所述半蝕坑用于吸附塵埃；每個半蝕坑與基板上的一個或多個像素坑對應(yīng)；所述半蝕坑內(nèi)設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)和或所述半蝕坑的底部填充有塵埃吸附劑；所述吸附結(jié)構(gòu)上設(shè)置有多個凹坑或狹縫；所述凹坑或狹縫用于吸附和固定塵埃顆粒。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人季華實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道環(huán)島南路28號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。