英特爾公司G.A.格拉斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利針對鍺NMOS晶體管的用以減少源極/漏極擴散的經摻雜的STI獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111033753B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094407.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權針對鍺NMOS晶體管的用以減少源極/漏極擴散的經摻雜的STI是由G.A.格拉斯;A.S.墨菲;K.賈姆布納桑;C.C.邦伯格;T.賈尼;J.T.卡瓦利羅斯;B.楚-孔;成承訓;S.舒克西設計研發完成，并于2017-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本針對鍺NMOS晶體管的用以減少源極/漏極擴散的經摻雜的STI在說明書摘要公布了：公開了集成電路晶體管結構，其在制造期間降低諸如磷或砷之類的n型摻雜劑從鍺n?MOS器件的源極區域和漏極區域到相鄰的淺溝槽隔離（STI）區域中的擴散。該n?MOS晶體管器件可以包括按原子百分比至少75％的鍺。在示例實施例中，該STI在STI的與源極和或漏極區域相鄰的區域中摻雜有n型雜質，以提供摻雜劑擴散降低。在一些實施例中，該STI區域摻雜有包括濃度按原子百分比在1%至10%之間的磷的n型雜質。在一些實施例中，經摻雜的STI區域的厚度可以范圍在10至100納米之間。
本發明授權針對鍺NMOS晶體管的用以減少源極/漏極擴散的經摻雜的STI在權利要求書中公布了：1.一種集成電路IC，其包括： 半導體材料的半導體主體，所述半導體材料包括按原子百分比至少75％的鍺，所述半導體主體具有最上表面和最下表面，其中所述半導體主體直接位于鰭根上，所述鰭根直接位于半導體襯底上，所述鰭根包括與所述半導體材料的半導體主體不同的半導體材料，并且所述鰭根的半導體材料與所述半導體襯底的半導體材料相同； 在所述半導體主體上的柵極結構，所述柵極結構包括柵極電介質和柵電極； 源極區域和漏極區域，其均與所述柵極結構相鄰，使得所述柵極結構處于所述源極和漏極區域之間，所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個包括n型雜質；以及 淺溝槽隔離STI區域，其鄰近所述源極區域和所述漏極區域中的所述至少一個，所述STI區域從STI區域的最上表面到STI區域的最下表面包括所述n型雜質，其中STI區域的最上表面位于半導體主體的最上表面下方，其中STI區域的最下表面位于半導體主體的最下表面下方，其中STI區域的最上表面位于半導體主體的最下表面上方，并且其中STI區域位于鰭根的相對側壁上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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