山東大學田耘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東大學申請的專利一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112725746B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911033332.9，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用是由田耘;張建楠;胡鵬程設計研發完成，并于2019-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明涉及氧化亞銅薄膜制備技術領域，尤其涉及一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用。所述方法為將清洗干凈的石英玻璃片放入磁控濺射儀的鍍膜機腔室中，抽真空后對石英玻璃片加熱至設定溫度；在腔室中通入流量保護氣氛，采用直流電源和高純銀靶在石英玻璃片濺射銀薄膜緩沖層，完成后在石英玻璃片上得到緩沖層銀膜；緊接著采用高純銅靶在銀膜上濺射氧化亞銅薄膜：通入氧氣開始濺射；完成后排放掉氣體，打開腔室，取出制得的產品，即得。本發明提出的方法采用磁控濺射鍍膜技術在襯底上向制備出緩沖層銀膜，能夠使得氧化亞銅薄膜結晶度提高，缺陷減少，顯著提高氧化亞銅的晶粒度。另外，本發明的方法能夠使大晶粒氧化亞銅薄膜的制備成本更低。
本發明授權一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，步驟為：在襯底上制備銀膜作為緩沖層，然后在緩沖層上濺射氧化亞銅薄膜，即得； 在襯底上制備銀膜緩沖層的方法為磁控濺射； 采用高純銀靶在襯底上濺射銀膜； 銀靶的厚度為3-6mm，直徑40-55mm； 所述銀膜的制備中，抽真空至背景真空≤3.5×10-4Pa，然后將襯底加熱至480-550℃后在氬氣氣氛下濺射，濺射參數為：直流電源，靶功率為8-13W，濺射時間18-30min，濺射氣壓0.3-0.8Pa，氬氣流量為35-45sccm； 在緩沖層上濺射氧化亞銅薄膜的方法為：采用高純銅靶在氬氣氣氛下濺射，背景真空≤3.5×10-4Pa，濺射參數為：射頻電源，靶功率為35-48W，濺射時間12-18min，濺射氣壓0.3-0.8Pa，氬氣和氧氣總流量35-45sccm，且O2含量為5-10％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學，其通訊地址為：250061 山東省濟南市歷下區經十路17923號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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