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龍圖騰網(wǎng)獲悉英飛凌科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利離子束注入方法和半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113013025B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011500142.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/265；該發(fā)明授權(quán)離子束注入方法和半導(dǎo)體器件是由M·耶利內(nèi)克;M·黑爾;C·利恩德茨;K·L·姆萊奇尼希;H-J·舒爾策設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本離子束注入方法和半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：離子束注入方法和半導(dǎo)體器件。在示例中，襯底被定向到目標(biāo)軸，其中目標(biāo)軸與襯底中的預(yù)選晶體溝道方向之間的殘余角失準(zhǔn)在角容差區(qū)間內(nèi)。使用沿離子束軸傳播的離子束將摻雜劑離子注入到襯底中。摻雜劑離子以離子束軸和目標(biāo)軸之間的注入角度注入。注入角度在注入角度范圍內(nèi)。溝道接受寬度對(duì)于預(yù)選晶體溝道方向是有效的。注入角度范圍大于溝道接受寬度和兩倍的角容差區(qū)間之和的80%。注入角度范圍小于溝道接受寬度和兩倍的角容差區(qū)間之和的500%。

本發(fā)明授權(quán)離子束注入方法和半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種離子束注入方法，包括： 將襯底定向到目標(biāo)軸，其中目標(biāo)軸與襯底中的預(yù)選晶體溝道方向之間的殘余角失準(zhǔn)在角容差區(qū)間內(nèi)；以及 使用沿離子束軸傳播的離子束通過(guò)襯底的第一襯底主表面將摻雜劑離子注入到襯底中，其中： 摻雜劑離子以離子束軸和目標(biāo)軸之間的注入角度注入； 針對(duì)注入摻雜劑離子的注入角度，離子束撞擊在第一襯底主表面的相同的子區(qū)中； 注入角度在注入角度范圍內(nèi)； 溝道接受寬度對(duì)于預(yù)選晶體溝道方向是有效的； 注入角度范圍大于溝道接受寬度和兩倍的角容差區(qū)間之和的80％；以及 注入角度范圍小于溝道接受寬度和兩倍的角容差區(qū)間之和的500％。

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