中芯北方集成電路制造(北京)有限公司蔡巧明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯北方集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115084263B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110278834.9，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蔡巧明;馬麗莎設計研發完成，并于2021-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一器件區，第一器件區包括溝道區、以及與溝道區相隔離的源漏區，源漏區和溝道區之間的基底中形成有隔離結構，在第一器件區中，溝道區的基底頂面低于源漏區的基底頂面；在第一器件區中，在溝道區的基底表面形成柵氧化層；在柵氧化層上形成第一柵極結構，所述第一柵極結構延伸至溝道區基底和隔離結構的交界處并覆蓋隔離結構的部分頂部；在第一柵極結構的側壁形成保護層，保護層還延伸覆蓋隔離結構的部分頂部，并露出源漏區的基底。保護層能夠較好地覆蓋所述第一柵極結構和隔離結構的拐角處，從而在后續的清洗過程中，增強了對第一柵極結構側壁的保護，進而提高了半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，包括第一器件區，所述第一器件區包括溝道區、以及與所述溝道區相隔離的源漏區，所述源漏區和溝道區之間的基底中形成有隔離結構，在所述第一器件區中，所述溝道區的基底頂面低于所述源漏區的基底頂面，所述隔離結構用于實現溝道區和源漏區之間的絕緣； 柵氧化層，位于所述第一器件區的溝道區的基底上； 第一柵極結構，位于所述柵氧化層上，并延伸至所述溝道區基底和隔離結構的交界處且覆蓋所述隔離結構的部分頂部； 保護層，覆蓋所述第一柵極結構的側壁，所述保護層還延伸覆蓋所述隔離結構的部分頂部，并露出所述源漏區的基底。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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