意法半導(dǎo)體(克洛爾2)公司;意法半導(dǎo)體(魯塞)公司P·波伊文獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體(克洛爾2)公司;意法半導(dǎo)體(魯塞)公司申請(qǐng)的專利相變存儲(chǔ)器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114430006B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111265534.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B63/10;該發(fā)明授權(quán)相變存儲(chǔ)器是由P·波伊文;R·西莫拉;Y·穆斯塔法-拉保爾特設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-10-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本相變存儲(chǔ)器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本公開(kāi)的各實(shí)施例涉及相變存儲(chǔ)器。本說(shuō)明書(shū)涉及包括相變存儲(chǔ)器單元的器件,每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括與由相變材料制成的第二元件橫向接觸的第一電阻元件。
本發(fā)明授權(quán)相變存儲(chǔ)器在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種器件,包括: 相變存儲(chǔ)器單元,所述相變存儲(chǔ)器單元的每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括: 導(dǎo)電材料的第一元件,所述第一元件具有第一表面,所述第一表面與第二表面相對(duì),所述第一表面接觸相變材料的第二元件;以及 第一絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋并且直接接觸所述第一元件和所述第二元件,所述第一元件的所述第二表面從所述第一絕緣層暴露,所述第一絕緣層是連續(xù)的層, 其中所述第一元件是平面的水平層,并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的級(jí)之上并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的所述級(jí)之下。
如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人意法半導(dǎo)體(克洛爾2)公司;意法半導(dǎo)體(魯塞)公司,其通訊地址為:法國(guó)克洛爾;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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