中國科學院海洋研究所姜旭宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院海洋研究所申請的專利用于光致陰極保護的納米線陣列復合光電薄膜及制備與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116254533B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211104105.2，技術領域涉及：C23F13/12；該發明授權用于光致陰極保護的納米線陣列復合光電薄膜及制備與應用是由姜旭宏;孫萌萌;鹿桂英;侯保榮設計研發完成，并于2022-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于光致陰極保護的納米線陣列復合光電薄膜及制備與應用在說明書摘要公布了：本發明屬于光致陰極保護領域，具體地講，本發明涉及一種CdSrGOQDsTiO2分支納米線陣列復合光電薄膜及其制備方法和應用。通過一種簡便的原位水熱法構建了具有分支結構的TiO2納米線陣列基底薄膜，然后采用恒電流陰極還原沉積和連續離子層吸附反應將rGO量子點和CdS納米顆粒沉積在其上，構建了界面充分接觸的CdSrGOQDsTiO2分支納米線異質結光電極。在模擬太陽光照射下，本復合薄膜可實現在海水中對多種金屬材料如316LSS和Cu的光致陰極保護作用，具有操作簡單易行，光電轉換效率高的優點。
本發明授權用于光致陰極保護的納米線陣列復合光電薄膜及制備與應用在權利要求書中公布了：1.一種用于光致陰極保護的分支納米線陣列復合光電薄膜，其特征在于：復合光電薄膜為于具有分支結構的TiO2納米線陣列基底上沉積rGO量子點和CdS納米顆粒構建而成的復合異質結體系CdSrGOQDsTiO2分支納米線陣列復合光電薄膜； 所述具有分支結構的TiO2納米線陣列基底為通過調控初始反應溶劑用量，利用原位水熱法在導電基材上直接生長的TiO2薄膜材料； 具體為，將干凈的FTO導電玻璃置于高壓反應釜中，導電面朝下，加入溶液a在160-200℃下水熱合成8-10小時，直接生長具有分支結構的TiO2納米線陣列基底薄膜；其中，溶液a為草酸鈦鉀粉末溶于一縮二乙二醇（DEG）和去離子水的溶液，且DEG和去離子水的體積比為2.7-3.3：（0.9-1.10），溶液a中草酸鈦鉀粉末的終濃度為1.9-2.1mM，水熱結束后在馬弗爐中退火處理以得到灰白色TiO2納米線基底。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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