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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西圓融光電科技有限公司申請的專利一種LED芯片及LED芯片的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115663074B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211150715.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種LED芯片及LED芯片的制造方法是由楊天鵬;楊建國;卜浩禮;康建;鄒浩洪;周榮設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-09-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種LED芯片及LED芯片的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種LED芯片及LED芯片的制造方法，該LED芯片的制造方法包括以下步驟拋光、濕洗、光刻、離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、電鍍處理、表面處理、測試封裝，所述步驟十中采用鉑金鈦網(wǎng)材料進(jìn)行電鍍，所述步驟五中蝕刻包括干蝕刻和濕蝕刻，所述干蝕刻是將之前光刻出來一些不需要的形狀，通過等離子體將其洗掉，所述濕蝕刻通過試劑進(jìn)一步對硅晶圓進(jìn)行清洗，所述步驟十一中對硅晶圓表面殘留的雜質(zhì)以及光刻膠剝離后，通過對硅晶圓表面進(jìn)行反復(fù)清洗，且待電鍍完成后，再次對硅晶圓表面殘留的雜質(zhì)以及光刻膠進(jìn)行剝離，避免出現(xiàn)正面焊線難與虛焊或背面造成壓降偏高和擊穿等現(xiàn)象發(fā)生。

本發(fā)明授權(quán)一種LED芯片及LED芯片的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LED芯片的制造方法，其特征在于：該LED芯片的制造方法包括以下步驟： 步驟一、拋光，選取一塊圓形硅晶圓，將硅晶圓固定在基板上，進(jìn)行拋光； 步驟二、濕洗，使用試劑對硅晶圓進(jìn)行清洗，保證硅晶圓表面沒有雜質(zhì)； 步驟三、光刻，使用紫外線透過蒙版照射硅晶圓，被照到的地方就會容易被洗掉，沒被照到的地方就保持原樣，在硅晶圓上面刻出對應(yīng)的圖案； 步驟四、離子注入，在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質(zhì)，不同的雜質(zhì)根據(jù)濃度和位置的不同組成了場效應(yīng)管； 步驟五、蝕刻，對經(jīng)離子注入后的硅晶圓進(jìn)行蝕刻； 步驟六、等離子沖洗，采用等離子清洗設(shè)備對硅晶圓進(jìn)行沖洗，去除表面污染物和氧化層； 步驟七、熱處理，對沖洗結(jié)束后的硅晶圓進(jìn)行加熱處理； 步驟八、化學(xué)氣相沉積，利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜； 步驟九、物理氣相沉積，真空條件下采用物理方法將硅晶圓表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體或等離子體過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜； 步驟十、電鍍處理，對硅晶圓進(jìn)行電鍍處理； 步驟十一、表面處理，對硅晶圓表面殘留的雜質(zhì)以及光刻膠進(jìn)行剝離； 步驟十二、測試封裝，對硅晶圓進(jìn)行測試，測試通過后打磨封裝即可。

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