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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119300487B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411386223.6，技術領域涉及：H10F30/225；該發明授權一種Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件是由雷前進;樓海君;朱林利設計研發完成，并于2024-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種Pocket摻雜的4H?SiC基雪崩光電二極管器件，包括：襯底層、倍增層、鈍化層、PAD層、金屬電極區和光敏窗口區。通過在4H?SiC雪崩光電二極管的倍增層中引入Pocket高摻雜區域，優化了倍增層凸臺面邊緣處電場分布情況，降低了臺面擊穿概率，增大了倍增區可用載流子濃度，在保持較低暗電流的同時增大了光電流，使器件的閾值電壓升高，電流增益和信噪比增大，表現出良好的光電放大性能。

本發明授權一種Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件在權利要求書中公布了：1.一種Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件，其特征在于，包括：襯底層、倍增層、鈍化層、PAD層、金屬電極區和光敏窗口區； 所述襯底層呈圓柱體，位于Pocket摻雜的4H-SiC基雪崩光電二極管器件的最底層； 所述倍增層呈凸圓臺體，與所述襯底層共中心軸，并沿第一方向接觸，所述第一方向為襯底層的中心軸線向上； 所述倍增層沿第一方向分五個倍增區，分別記為第一倍增區、第二倍增區、第三倍增區、第四倍增區和第五倍增區，五個倍增區沿第一方向共中心軸并依次接觸；所述第一倍增區呈凸圓臺體，所述第二倍增區、第三倍增區、第四倍增區和第五倍增區呈圓臺體；第一倍增區的圓臺部分、第二倍增區、第三倍增區、第四倍增區和第五倍增區的傾斜角度保持一致； 所述第三倍增區的摻雜濃度高于第二倍增區和第四倍增區，且第二倍增區、第三倍增區和第四倍增區采用Pocket摻雜； 所述襯底層與第一倍增區、第二倍增區、第三倍增區、第四倍增區和第五倍增區之間的接觸面均為外法線沿第一方向的圓形面； 所述鈍化層呈空心圓臺殼體，與所述倍增層共中心軸并與其上表面接觸，覆蓋在所述倍增層外表面上，接觸面為扇形曲面，與所述倍增層的圓臺的傾斜角度相同； 所述PAD層呈空心圓臺殼體，與所述鈍化層共中心軸并與其上表面接觸，覆蓋在所述鈍化層外表面上，接觸面為扇形曲面，與所述鈍化層的圓臺的傾斜角度相同； 所述光敏窗口區呈圓環狀，位于所述第五倍增區的上表面區域； 所述金屬電極區包括陽極區和陰極區，其中，陽極區呈圓柱環體，與所述第一倍增區沿第一方向接觸，覆蓋在所述第一倍增區的凸圓臺的上表面臺面上，接觸面為圓環形；陰極區呈圓柱體，與所述光敏窗口區共中心軸并沿第一方向接觸，覆蓋在所述光敏窗口區上，接觸面為圓形。

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