北京超弦存儲器研究院;北京大學黃芊芊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京超弦存儲器研究院;北京大學申請的專利高密度三維鐵電存儲器結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119855158B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510068339.3，技術領域涉及：H10B53/20；該發明授權高密度三維鐵電存儲器結構及其制備方法是由黃芊芊;鄧閔月;黃如設計研發完成，并于2025-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本高密度三維鐵電存儲器結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了兩種高密度三維鐵電存儲器結構及其制備方法，所述制備方法能夠降低三維鐵電存儲器制備過程中的深孔刻蝕難度，同時又能增加單位存儲單元的鐵電電容的有效面積。所述高密度三維鐵電存儲器的核心結構與制備過程包括：通過隔離溝槽將深孔刻蝕形成的導電通孔分割為更小的兩個子通孔作為分立的導線，減小了刻蝕時深孔結構的深寬比，從而降低了制備過程中的刻蝕難度；通過在沿垂直于襯底方向延伸的豎直導線上形成凹槽結構，增加導線與鐵電材料之間的接觸面積，從而增加了存儲單元的有效電容面積，確保在工藝節點縮小時可以維持足夠的存儲窗口。本發明提升了三維鐵電存儲器的存儲密度和可靠性，具有廣泛的應用前景。
本發明授權高密度三維鐵電存儲器結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高密度三維鐵電存儲器，包括襯底和位于襯底上方或者下方的存儲體，其特征在于，存儲體中設置有多列第一導線，第一導線沿著垂直于襯底的方向延伸，第一導線位于導電通孔中；存儲體中設置有多列隔離溝槽，隔離溝槽垂直于襯底，且在平行于襯底的截面上沿垂直穿過第一導線的方向延伸，隔離溝槽位于每一列第一導線的列中心線位置，用于分割第一導線；存儲體中設置有交替堆疊的隔離層和被鐵電材料包圍的第二導線層；存儲體中設置有垂直于襯底的、貫穿堆疊層的犧牲通孔，隔離材料填充的犧牲通孔即為占位單元位置；其中，第一導線位于第二導線層的部分的平行于襯底方向的水平截面面積小于第一導線位于隔離層的部分的水平截面面積，第一導線在第二導線層呈現半環凹槽的形貌，記為第一半環凹槽；鐵電材料在第一半環凹槽的位置與第一導線和第二導線同時接觸，即第一導線、鐵電材料和第二導線形成半環凹槽形狀的MFM結構的存儲單元。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京超弦存儲器研究院;北京大學，其通訊地址為：100176 北京市通州區北京經濟技術開發區科創十街18號院11號樓四層401室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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