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龍圖騰網獲悉新恒匯電子股份有限公司申請的專利一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120261301B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510740136.4，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法是由馬偉凱;朱軍;任志軍;黃偉;吳忠堂;李昌文;方凱設計研發完成，并于2025-06-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及引線框架制備技術領域，具體涉及一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法，基材上設置抗蝕干膜，所述抗蝕干膜上設置有抗蝕圖案，所述抗蝕圖案在設計時，在同一抗蝕干膜上，不同的蝕刻區域對應的蝕刻間隙數量及蝕刻間隙長度不同，使得抗蝕干膜在一次曝光?顯影?蝕刻后，蝕刻出不同深度的蝕刻區域。本申請基于一次蝕刻操作，即可精準且高效地制造出具有兩種不同半蝕深度的引線框架產品，解決傳統工藝成本高、精度低、效率低的問題。

本發明授權一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法在權利要求書中公布了：1.一種引線框架同步蝕刻多種深度的方法，基材（1）上設置抗蝕干膜（2），所述抗蝕干膜（2）上設置有抗蝕圖案，其特征在于，所述抗蝕圖案在設計時，在同一抗蝕干膜（2）上，不同的蝕刻區域對應的蝕刻間隙（3）數量及蝕刻間隙（3）長度不同，使得抗蝕干膜（2）在一次曝光-顯影-蝕刻后，蝕刻出不同深度的蝕刻區域； 所述抗蝕圖案設計時包括如下步驟： S1：確定各蝕刻區域及其對應的蝕刻要求；所述蝕刻要求包括蝕刻區域對應的蝕刻深度及蝕刻長度的要求； S2：確定基準蝕刻區域；所述S2中將各蝕刻區域對應的蝕刻深度要求進行排序，確定蝕刻深度的最大值，蝕刻深度的最大值對應的蝕刻區域為基準蝕刻區域； S3：確定基準蝕刻區域所對應的側蝕長度； S4：以側蝕長度為參考，設計剩余蝕刻區域對應的蝕刻間隙（3）數量及蝕刻間隙（3）長度，進行測試調整，完成最終的抗蝕圖案設計； 所述S4中包括如下子步驟： S4-1：基于抗蝕干膜的解析能力確定剩余蝕刻區域中，對應的蝕刻間隙（3）長度； S4-2：剩余蝕刻區域中，單個蝕刻區域中側蝕長度、相鄰蝕刻間隙（3）的距離設定為S3確定的側蝕長度； S4-3：計算單個蝕刻區域應設定的間隙數量；所述S4-3中，間隙數量的計算公式為： ； 式中，N為單個蝕刻區域內蝕刻間隙（3）數量，W為蝕刻區域的長度，I為同一蝕刻區域，相鄰蝕刻間隙（3）之間的距離，H為單個蝕刻間隙（3）的長度，H滿足干膜解析的最小尺寸； S4-4：基于S4-1至S4-3設定的數值，進行測試，判斷實際的蝕刻深度及蝕刻長度是否符合蝕刻要求，若符合，則完成最終的抗蝕圖案設計；否則進行適應性調整，直至實際的蝕刻深度及蝕刻長度符合蝕刻要求； 所述S4-4中剩余蝕刻區域，同一蝕刻區域的適應性調整包括： 若單個蝕刻間隙的中心線所對應的蝕刻深度大于該蝕刻區域對應的蝕刻深度的蝕刻要求，則縮小蝕刻間隙長度，使得蝕刻深度變淺；若單個蝕刻間隙的中心線所對應的蝕刻深度小于該蝕刻區域對應的蝕刻深度的蝕刻要求，則擴大蝕刻間隙長度，使得蝕刻深度變深； 若單個相鄰蝕刻間隙之間的間距小于該蝕刻區域對應的蝕刻深度的蝕刻要求，則縮減相鄰蝕刻間隙之間的間距。

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