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龍圖騰網獲悉中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利一種多波長發光紫外LED及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120322069B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510799390.1，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種多波長發光紫外LED及其制備方法是由張山麗;孫曉娟;黎大兵;賁建偉;呂順鵬;蔣科設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多波長發光紫外LED及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及紫外LED技術領域，提供了一種多波長發光紫外LED及其制備方法。本發明的多波長發光紫外LED，包括襯底以及位于襯底表面且依次層疊的AlN模板層、AlN薄膜層、N型強度調節層、n?AlGaN層、量子阱發光層、電子阻擋層、P型AlGaN層和P型歐姆接觸層；量子阱發光層包括至少兩個發光波長不同的量子阱發光層，各個量子阱發光層的結構和生長溫度不同；本發明不需要改變量子阱發光層的厚度和組分來實現不同波長的紫外LED發光，而是通過改變勢阱層的結構實現不同波長的紫外LED發光；通過調節N型強度調節層中n?AlN層的厚度，進而影響量子阱發光層的應力，調節不同波長紫外光的相對強度，以滿足各種不同應用需求。

本發明授權一種多波長發光紫外LED及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多波長發光紫外LED，其特征在于，包括襯底以及位于所述襯底表面且依次層疊的AlN模板層、AlN薄膜層、N型強度調節層、n-AlGaN層、量子阱發光層、電子阻擋層、P型AlGaN層和P型歐姆接觸層； 其中，所述量子阱發光層包括至少兩個發光波長不同的量子阱發光層； 所述N型強度調節層為n-AlxGa1-xN-AlN超晶格周期性結構層；其中，n-AlN的厚度為0.5~2nm，n-AlxGa1-xN的厚度為5~50nm，所述N型強度調節層的厚度≥0.5μm，0.7≤x1； 所述量子阱發光層包括依次層疊的長波長量子阱發光層、第一短波長量子阱發光層、第二短波長量子阱發光層； 其中，所述長波長量子阱發光層為Al0.3Ga0.7NAlN量子阱發光層，Al0.3Ga0.7N阱層厚度為2nm，AlN壘層厚度為3nm，長波長量子阱發光層量子阱周期數為2； 第一短波長量子阱發光層包括Al0.6Ga0.4NAlNAl0.6Ga0.4N阱層、AlN壘層，AlN壘層厚度為2.5nm，Al0.6Ga0.4NAlNAl0.6Ga0.4N阱層的厚度分別為1nm0.5nm1nm，第一短波長量子阱發光層量子阱周期數為2； 第二短波長量子阱發光層包括Al0.6Ga0.4NAlNAl0.6Ga0.4N阱層、AlN壘層，AlN壘層厚度為3nm，Al0.6Ga0.4NAlNAl0.6Ga0.4N阱層厚度分別為0.5nm1nm0.5nm，第二短波長量子阱發光層量子阱周期數為2； 所述n-AlGaN層包括依次疊加的n-AlyGa1-yN層、n-AlzGa1-zN層； 其中0.7≤y≤x≤z1；所述電子阻擋層為P-AlGaN層，P-AlGaN層為P-AlaGa1-aN層，0.8≤a1； 所述P型AlGaN層為P-AlbGa1-bN層，0.5≤b1； 所述P型歐姆接觸層為P型GaN層； 所述長波長量子阱發光層的生長溫度為1000℃~1100℃，所述第一短波長量子阱發光層的生長溫度為1100℃~1150℃，所述第二短波長量子阱發光層的 生長溫度為1150℃~1170℃。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，其通訊地址為：130033 吉林省長春市經濟技術開發區東南湖大路3888號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。