中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112086356B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910516691.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2019-06-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，包括：提供襯底，襯底上形成有鰭部；在襯底上形成偽柵結構，偽柵結構橫跨鰭部；刻蝕偽柵結構兩側的鰭部，在鰭部內溝槽；在溝槽內填充滿應力層；在應力層上形成層間介電層；刻蝕去除層間介電層以及部分厚度的應力層；在刻蝕后的應力層上形成導電層，本發明的形成方法使得形成的應力層和導電層之間的接觸面積增大，從而降低了應力層和導電層之間的接觸電阻，減少了半導體器件在使用的過程中由于接觸電阻導致的發熱現象，提高了半導體器件的使用性能的穩定性。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上形成有鰭部； 在所述襯底上形成偽柵結構，所述偽柵結構橫跨所述鰭部； 刻蝕所述偽柵結構兩側的所述鰭部，在所述鰭部內溝槽； 在所述溝槽內填充滿應力層，所述應力層包括第一應力層、第二應力層和第三應力層，所述第一應力層和所述第三應力層中含有的鍺的濃度都低于所述第二應力層中含有的鍺的濃度； 在所述應力層上形成層間介電層； 刻蝕去除所述層間介電層以及部分厚度的所述應力層，刻蝕后的所述應力層的表面呈“W”型，其中，“W”型連接所述第一應力層、所述第二應力層以及所述第三應力層，所述第三應力層的頂部表面高于所述第二應力層的頂部表面，刻蝕所述應力層的時候能夠選擇性刻蝕所述第二應力層； 在刻蝕后的所述應力層上形成導電層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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