恩智浦美國有限公司林欣獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉恩智浦美國有限公司申請的專利具有二極管耦合的隔離環的LDMOS獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111799330B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010262849.1，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權具有二極管耦合的隔離環的LDMOS是由林欣;張志宏;程序;祝榮華設計研發完成，并于2020-04-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有二極管耦合的隔離環的LDMOS在說明書摘要公布了：一種用于提高橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS的擊穿電壓的方法包括將場效應晶體管FET的第一阱偏置到第一電壓。所述第一阱與第二阱橫向分離。響應于所述第一電壓超過連接在所述隔離環與所述第一阱之間的二極管的擊穿電壓將隔離環充電到第二電壓。所述隔離環橫向包圍所述FET并接觸在所述第一阱和所述第二阱下方延伸的掩埋層BL。將襯底偏置到小于或等于所述第一電壓的第三電壓。所述襯底在所述BL下方橫向延伸并接觸所述BL。
本發明授權具有二極管耦合的隔離環的LDMOS在權利要求書中公布了：1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS，其特征在于，包括： 場效應晶體管FET，所述FET包括源極端、連接到主體區域的主體端和連接到漂移區域的漏極端，所述主體區域與所述漂移區域橫向分離； 隔離環，所述隔離環被安置成橫向包圍所述FET； 掩埋層BL，所述BL位于所述FET下方并與所述隔離環接觸；以及 二極管，所述二極管包括陽極和陰極，所述陽極電耦合到所述隔離環，并且所述陰極電耦合到所述FET的N型阱區域；其中所述二極管與所述隔離環通過淺溝槽隔離而橫向地分離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩智浦美國有限公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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