現代摩比斯株式會社金信兒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉現代摩比斯株式會社申請的專利功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114628520B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111491168.3，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權功率半導體器件是由金信兒;金臺燁;河定穆;禹赫設計研發完成，并于2021-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率半導體器件在說明書摘要公布了：本申請公開了功率半導體器件，其包括碳化硅SiC半導體層；設置在半導體層中的多個阱區，多個阱區彼此間隔開且具有第二導電類型；分別設置在多個阱區上的半導體層中的多個源極區，其彼此間隔開；具有第一導電類型；以及設置在半導體層中的漂移區，漂移區從多個阱區的下側穿過多個阱區之間延伸至半導體層的表面；多個溝槽；柵極絕緣層和設置在柵極絕緣層上的柵電極層。
本發明授權功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件，包括： 碳化硅（SiC）半導體層； 多個阱區，設置在所述半導體層中，彼此間隔開并具有第二導電類型； 多個源極區，分別設置在所述多個阱區上的所述半導體層中，彼此間隔開并具有第一導電類型； 漂移區，具有所述第一導電類型并設置在所述半導體層中，所述漂移區從所述多個阱區的下側穿過所述多個阱區之間延伸到所述半導體層的表面； 多個溝槽，設置成從所述半導體層的表面凹入所述半導體層的內部，使得所述多個溝槽中的每一個連接所述多個源極區中彼此相鄰的兩個源極區； 柵極絕緣層，設置在所述多個溝槽的內壁和所述半導體層的所述表面上；以及 柵電極層，設置在所述柵極絕緣層上，并包括埋入所述多個溝槽的第一部分和位于所述半導體層的所述表面上的第二部分， 多個阱接觸區，設置在所述多個源極區中并位于所述多個阱區上且具有所述第二導電類型；以及 源電極層，與所述多個源極區和所述多個阱接觸區連接 其中，所述多個阱接觸區在平面圖中具有圓形形狀，以及 其中，所述多個源極區具有圍繞所述多個阱接觸區的圓環形狀， 其中，所述多個阱區呈環形圍繞所述多個源極區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人現代摩比斯株式會社，其通訊地址為：韓國首爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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