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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210013554.X，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件及其制備方法是由馬曉華;侯斌;牛雪銳;楊凌;張濛;武玫;王沖;郝躍設計研發完成，并于2022-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件及其制備方法，包括：由下至上依次設置的第一Si襯底層、P?GaN層、UID?InxGaN層、AlyGaN勢壘層和保護層；AlyGaN勢壘層、UID?InxGaN層和P?GaN層形成N面的異質結結構；其中，0.02≤x≤0.05；AlyGaN勢壘層上開設有柵極凹槽；AlyGaN勢壘層的兩側分別沉積有源電極和漏電極；其中，0.2≤y≤0.3；源電極和漏電極均延伸至保護層內；柵極凹槽，槽口朝向保護層；柵極凹槽上設置有柵電極；柵電極延伸至保護層內；源電極、漏電極和柵電極的上方分別沉積有貫穿保護層的互聯金屬。本發明夠使P溝道器件有較高的空穴遷移率，從而改善了器件的性能，以實現高電流密度器件。

本發明授權一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有高電流密度的N面GaN基P溝道器件，其特征在于，包括： 由下至上依次設置的第一Si襯底層11、P-GaN層20、UID-InxGaN層30、AlyGaN勢壘層40和保護層50；其中，所述UID表示非故意摻雜； 所述AlyGaN勢壘層40、所述UID-InxGaN層30和所述P-GaN層20形成N面的異質結結構；其中，0.02≤x≤0.05； 所述AlyGaN勢壘層40上開設有柵極凹槽41；所述AlyGaN勢壘層40的兩側分別沉積有源電極61和漏電極62；其中，0.2≤y≤0.3； 所述源電極61和所述漏電極62的頂部均延伸至所述保護層50內；所述源電極61和所述漏電極62的底部均與所述P-GaN層20的上表面接觸； 所述柵極凹槽41，槽口朝向所述保護層50；所述柵極凹槽41上設置有柵電極42； 所述柵電極42的頂部延伸至所述保護層50內；所述柵電極42的底部延伸至所述AlyGaN勢壘層40內； 所述源電極61、所述漏電極62和所述柵電極42的上方分別沉積有貫穿所述保護層50的互聯金屬70。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。