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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽大學(xué)申請的專利一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T-SRAM單元電路、模塊獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115995251B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211658343.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/412；該發(fā)明授權(quán)一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T-SRAM單元電路、模塊是由藺智挺;張秋明;柳云龍;吳秀龍;彭春雨;趙強(qiáng);代月花;盧文娟;周永亮;戴成虎;郝禮才設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T-SRAM單元電路、模塊在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及靜態(tài)隨機(jī)存儲器技術(shù)領(lǐng)域，更具體的，涉及一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T?SRAM單元電路，以及采用該種電路布局的模塊。本發(fā)明的11T?SRAM單元電路中N1、N2、P4、P5構(gòu)成反饋支路，利用存儲節(jié)點QB點的存儲數(shù)據(jù)，通過N2或P4，使N1或P5關(guān)閉，使本單元電路進(jìn)入休眠狀態(tài)。本發(fā)明利用電路本身的存儲數(shù)據(jù)“0”或“1”，通過反饋支路使N1或者P5處于關(guān)閉狀態(tài)，從而切斷單元電路和VDD或GND之間的連接，使電路進(jìn)入休眠狀態(tài)，降低了存儲單元的靜態(tài)功耗；并且休眠后的數(shù)據(jù)可通過信號的調(diào)整，使存儲節(jié)點Q、QB的電平恢復(fù)到原來狀態(tài)，不會造成功能性錯誤。

本發(fā)明授權(quán)一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T-SRAM單元電路、模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低功耗數(shù)據(jù)休眠可恢復(fù)的11T-SRAM單元電路，其特征在于，包括： NMOS晶體管N1，N1的漏極電連接電源VDD； NMOS晶體管N2，N2的漏極與N1的柵極電連接，N2的柵極與反饋控制信號CA1電連接， NMOS晶體管N3； NMOS晶體管N4，N4的源極和N3的源極電連接，N4的漏極與N3的柵極電連接，N4的柵極與N3的漏極電連接； NMOS晶體管N5，N5的源極與位線BL電連接，N5的柵極與字線WL電連接，N5的漏極與N3的漏極電連接； NMOS晶體管N6，N6的源極與恢復(fù)信號B電連接，N6的柵極與恢復(fù)控制信號CB2電連接； PMOS晶體管P1，P1的源極與恢復(fù)信號A電連接，P1的柵極與恢復(fù)控制信號CA2電連接，P1的漏極與N1的柵極電連接； PMOS晶體管P2，P2的源極與N1的源極電連接，P2的柵極與N3的柵極電連接，P2的漏極與N3的漏極電連接，并設(shè)置有存儲節(jié)點Q； PMOS晶體管P3，P3的源極與N1的源極電連接，P3的柵極與P2的漏極電連接，P3的漏極與N4的漏極電連接，并設(shè)置存儲節(jié)點QB； PMOS晶體管P4，P4的源極與N2的源極、P3的漏極電連接，P4的漏極與N6的漏極電連接，P4的柵極與反饋控制信號CB1電連接； PMOS晶體管P5，P5的源極與N3的源極電連接，P5的柵極與N6的漏極電連接，P5的漏極和GND電連接； 所述11T-SRAM單元電路通過信號的調(diào)整，實現(xiàn)休眠及恢復(fù)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人安徽大學(xué)，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)九龍路111號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。