買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)的專利逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116230752B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310116479.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法是由張福勝;謝梓翔;李春艷;廖勇波;馬穎江設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-02-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法，該逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管包括：第一導(dǎo)電類型摻雜的漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型摻雜的基區(qū)、從漂移區(qū)的表面延伸入漂移區(qū)且平行排列的多個(gè)溝槽，溝槽貫穿基區(qū)且底部與漂移區(qū)接觸，溝槽內(nèi)設(shè)置有絕緣介質(zhì)層和由絕緣介質(zhì)層包圍的導(dǎo)電材料；基區(qū)包括交錯(cuò)分布的有源區(qū)和虛擬元胞區(qū)；由有源區(qū)對(duì)應(yīng)的發(fā)射區(qū)、接觸區(qū)及其毗連的基區(qū)、漂移區(qū)和集電區(qū)組成IGBT單元；虛擬元胞區(qū)對(duì)應(yīng)的基區(qū)及其毗連的接觸區(qū)、漂移區(qū)和陰極區(qū)組成反向恢復(fù)晶體管單元；其中，位于虛擬元胞區(qū)內(nèi)的溝槽的絕緣介質(zhì)層設(shè)置有凹槽。本申請(qǐng)?jiān)诓伙@著增加工藝和成本的基礎(chǔ)上，優(yōu)化RCIGBT的反向恢復(fù)性能，降低二極管的關(guān)斷損耗。

本發(fā)明授權(quán)逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，包括： 第一導(dǎo)電類型摻雜的漂移區(qū)； 在所述漂移區(qū)的表面形成有第二導(dǎo)電類型摻雜的基區(qū)，所述基區(qū)包括交錯(cuò)分布的有源區(qū)和虛擬元胞區(qū)； 從所述漂移區(qū)的表面延伸入所述漂移區(qū)且平行排列的多個(gè)溝槽，所述溝槽貫穿所述基區(qū)且底部與所述漂移區(qū)接觸，所述溝槽內(nèi)設(shè)置有絕緣介質(zhì)層和由所述絕緣介質(zhì)層包圍的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料從頂部的第一金屬層引出形成柵電極； 在所述基區(qū)的所述有源區(qū)的表面形成有第一導(dǎo)電類型重度摻雜的發(fā)射區(qū)和第二導(dǎo)電類型重度摻雜的接觸區(qū)，所述發(fā)射區(qū)的第一側(cè)面與對(duì)應(yīng)的所述溝槽的側(cè)面毗連，所述發(fā)射區(qū)的第二側(cè)面與所述接觸區(qū)毗連，所述發(fā)射區(qū)和所述接觸區(qū)共同從所述第一金屬層引出發(fā)射極； 在所述漂移區(qū)的背面形成有第一導(dǎo)電類型摻雜的緩沖層； 在所述緩沖層的表面形成有交錯(cuò)分布的第二導(dǎo)電類型重度摻雜的集電區(qū)和第一導(dǎo)電類型重度摻雜的陰極區(qū)，所述集電區(qū)和所述陰極區(qū)共同從第二金屬層引出形成集電極； 由所述有源區(qū)對(duì)應(yīng)的所述發(fā)射區(qū)、所述接觸區(qū)及其毗連的所述基區(qū)、所述漂移區(qū)和所述集電區(qū)組成IGBT單元； 所述虛擬元胞區(qū)作為晶體管陽(yáng)極區(qū)，由所述晶體管陽(yáng)極區(qū)對(duì)應(yīng)的所述基區(qū)及其毗連的所述接觸區(qū)、所述漂移區(qū)和所述陰極區(qū)組成反向恢復(fù)晶體管單元； 其中，位于所述虛擬元胞區(qū)內(nèi)的所述溝槽的所述絕緣介質(zhì)層設(shè)置有凹槽。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人珠海格力電器股份有限公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市珠海橫琴新區(qū)匯通三路108號(hào)辦公608；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。