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龍圖騰網(wǎng)獲悉南昌大學(xué);南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專利一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116314517B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310217081.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/819；該發(fā)明授權(quán)一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法是由王立;王偉;莫春蘭;吳小明;陳芳;李新華;蔣愷設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-03-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法，在該方法中首先外延生長(zhǎng)包含隧道結(jié)的外延片；通過(guò)制備溝槽的方式，使隧道結(jié)中的p型氮化物層暴露在環(huán)境中；對(duì)隧道結(jié)中的p型氮化物層進(jìn)行熱激活，p型氮化物層中的H可以通過(guò)溝槽擴(kuò)散到環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)隧道結(jié)中的p型氮化物層中較高的空穴濃度；另外，含隧道結(jié)的氮化鎵發(fā)光二極管是垂直結(jié)構(gòu)，底部的金屬反射鏡電極在溝槽的脊上，頂部的金屬n電極位置正對(duì)溝槽位置，電極的錯(cuò)開分布設(shè)計(jì)，不僅助于電流的擴(kuò)展，還減少出光損失。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)大尺寸含隧道結(jié)中被掩埋p型氮化物層的激活，有利于大尺寸隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管的應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管，其特征在于：由下至上包括基板、粘結(jié)層、金屬反射鏡電極層、第一絕緣介質(zhì)層、第一n型氮化物層、p型氮化物層、電子阻擋層、有源層、第二n型氮化物層、第二絕緣介質(zhì)層、金屬n電極；其特征在于：所述第一n型氮化物層、p型氮化物層各自均至少有兩種不同的n型摻雜濃度氮化物層和p型摻雜濃度氮化物層，且所述第一n型氮化物層和p型氮化物層的界面形成隧道結(jié)；所述金屬n電極為柵線結(jié)構(gòu)，在每一條金屬n電極的正下方對(duì)應(yīng)有溝槽，并且在溝槽中填充有帶第一開口的第一絕緣介質(zhì)層；金屬反射鏡電極層通過(guò)第一絕緣介質(zhì)層上的第一開口與第一n型氮化物層接觸; 所述溝槽刻穿第一n型氮化物層，至p型氮化物層的表面或內(nèi)部，溝槽的寬度d≤20μm，相鄰兩個(gè)溝槽的間距為L(zhǎng)； 所述第一絕緣介質(zhì)層的開口位置在兩個(gè)溝槽之間的脊上。

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