臺灣積體電路制造股份有限公司蔡承晏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體工藝所用的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203540B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111535505.4，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權半導體工藝所用的方法是由蔡承晏;吳仲強;黃泰維;鍾鴻欽;李威縉;李達元;蘇慶煌;莊媖涓;劉冠廷設計研發完成，并于2019-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體工藝所用的方法在說明書摘要公布了：此處所述的實施例關于對半導體基板上的不同晶體管的金屬柵極中所用的材料進行預沉積處理。在一實施例中，方法包括暴露第一裝置的第一含金屬層與第二裝置的第二含金屬層至反應物，以分別形成多個單層于第一含金屬層與第二含金屬層上。第一裝置與第二裝置位于基板上。第一裝置包括第一柵極結構，且第一柵極結構包括第一含金屬層。第二裝置包括第二柵極結構，且第二柵極結構包括第二含金屬層，而第一含金屬層與第二含金屬層不同。暴露第一含金屬層與第二含金屬層上的單層至氧化劑，以提供單層所用的羥基封端表面。之后形成第三含金屬層于第一含金屬層與第二含金屬層上的單層的羥基封端表面上。
本發明授權半導體工藝所用的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體工藝所用的方法，包括： 形成一柵極介電層于一第一溝槽與一第二溝槽中，該第一溝槽與該第二溝槽各自定義于一介電結構中并與一基板上的一鰭狀物相交； 形成一第一金屬層于該第一溝槽中的該柵極介電層上； 形成一第二金屬層于該第二溝槽中的該柵極介電層上，其中該第一金屬層與該第二金屬層的化學組成彼此不同； 直接形成一功函數調整層于該第一溝槽中的該第一金屬層與該第二溝槽中的該第二金屬層上，且該第一金屬層上的該功函數調整層的厚度不同于該第二金屬層上的該功函數調整層的厚度；以及 分別形成多個柵極于該第一溝槽與該第二溝槽中的該功函數調整層上，其中該第一溝槽中的該功函數調整層的厚度與該第二溝槽中的該功函數調整層的厚度之間的差異介于28％至39％之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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