索尼半導體解決方案公司荻田知治獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉索尼半導體解決方案公司申請的專利受光元件以及測距模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110739325B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910589997.1，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權受光元件以及測距模塊是由荻田知治設計研發完成，并于2019-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本受光元件以及測距模塊在說明書摘要公布了：本發明提供能夠提高特性的受光元件和測距模塊。所述受光元件具備片上透鏡、布線層以及配置在片上透鏡和布線層之間的半導體層，半導體層包括：被施加第一電壓的第一電壓施加部；被施加與第一電壓不同的第二電壓的第二電壓施加部；配置在第一電壓施加部的周圍的第一電荷檢測部；配置在第二電壓施加部的周圍的第二電荷檢測部；以及貫穿半導體層的貫穿電極。通過貫穿電極對半導體層的片上透鏡側的面上形成的規定的膜施加第三電壓。本發明例如可以應用在以ToF方式生成距離信息的受光元件等上。
本發明授權受光元件以及測距模塊在權利要求書中公布了：1.一種受光元件，其特征在于， 所述受光元件包括： 片上透鏡； 布線層；以及 配置在所述片上透鏡和所述布線層之間的半導體層， 所述半導體層包括： 被施加第一電壓的第一電壓施加部； 被施加與所述第一電壓不同的第二電壓的第二電壓施加部； 配置在所述第一電壓施加部的周圍的第一電荷檢測部； 配置在所述第二電壓施加部的周圍的第二電荷檢測部；以及 貫穿所述半導體層的貫穿電極， 在所述半導體層的片上透鏡側的面上形成有規定的膜，在所述規定的膜上側還具備透明導電膜，并且 通過所述貫穿電極和所述透明導電膜對所述半導體層的片上透鏡側的所述面上形成的所述規定的膜施加第三電壓。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼半導體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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