買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江晶越半導體有限公司申請的專利一種籽晶粘結方法及碳化硅晶體生長方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119372772B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411932973.9，技術領域涉及：C30B23/00；該發(fā)明授權一種籽晶粘結方法及碳化硅晶體生長方法是由高冰;葉宏亮設計研發(fā)完成，并于2024-12-26向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種籽晶粘結方法及碳化硅晶體生長方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及碳化硅制備領域，尤其涉及一種籽晶粘結方法及碳化硅晶體生長方法，所述籽晶粘結方法，包括以下步驟：（S.1）在石墨籽晶蓋上覆蓋一層金屬膜層；（S.2）將籽晶非生長面置于所述金屬膜層表面，并在籽晶生長面上依次覆蓋柔性薄膜以及剛性壓板；（S.3）在剛性壓板上方施加壓力，使得籽晶的非生長面與金屬膜層緊密貼合；（S.4）在真空以及加熱條件下，使得籽晶的非生長面與金屬膜層發(fā)生擴散燒結反應，從而完成籽晶的粘結。本申請創(chuàng)造性的使用金屬膜層與籽晶之間的擴散燒結反應，從而有效提升了籽晶與石墨籽晶蓋的穩(wěn)定粘結，避免了在粘結面收縮氣泡以及邊緣粘結剝離的現(xiàn)象，降低碳化硅晶體的內部位錯密度。

本發(fā)明授權一種籽晶粘結方法及碳化硅晶體生長方法在權利要求書中公布了：1.一種籽晶粘結方法，其特征在于，包括以下步驟： （S.1）在石墨籽晶蓋上覆蓋一層金屬膜層，所述金屬膜層為Ta、W、Re三種金屬元素的單質或任意幾種元素的合金，所述金屬膜層的熔點大于等于2500℃； （S.2）將直徑205mm的籽晶非生長面置于所述金屬膜層表面，并在籽晶生長面上依次覆蓋直徑大于等于籽晶直徑的柔性薄膜以及剛性壓板，所述柔性薄膜層數(shù)1-20層，柔性薄膜的厚度為0.2mm-3mm，所述剛性壓板的厚度均勻性在±0.01mm以內； （S.3）在剛性壓板上方施加壓力，使得籽晶的非生長面與金屬膜層緊密貼合； （S.4）在真空以及加熱條件下，使得籽晶的非生長面與金屬膜層發(fā)生擴散燒結反應，從而完成籽晶的粘結； 步驟（S.4）中真空度為氣壓＜1E-5Pa，加熱溫度為500℃-1000℃，加熱時間為30min-5h。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人浙江晶越半導體有限公司，其通訊地址為：312400 浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號9號廠房二樓202室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。