盛美半導體設備(上海)股份有限公司王暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉盛美半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利去除阻擋層的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113782430B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010519561.8，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權去除阻擋層的方法是由王暉;張洪偉;代迎偉;金一諾;王堅設計研發完成，并于2020-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本去除阻擋層的方法在說明書摘要公布了：本發明揭示了去除硅片上金屬互連的阻擋層的方法，去除單層金屬釕阻擋層，包括：氧化步驟，使用電化學陽極氧化工藝將單層的金屬釕阻擋層氧化成釕氧化物層；氧化層刻蝕步驟，用刻蝕液對釕氧化物層進行刻蝕，去除釕氧化物層。本發明還提出去除硅片上金屬互連的阻擋層的方法，用于10nm及以下的工藝節點的結構中，結構包括襯底、介質層、阻擋層和金屬層，介質層沉積在襯底上，介質層上形成凹進區，阻擋層沉積在介質層上，金屬層沉積在阻擋層上，金屬層是銅層，阻擋層是單層金屬釕層，該方法包括：減薄步驟，對金屬層進行減?。蝗コ襟E，去除金屬層；氧化步驟，對阻擋層進行氧化，氧化步驟使用電化學陽極氧化工藝；氧化層刻蝕步驟，刻蝕氧化后的阻擋層。
本發明授權去除阻擋層的方法在權利要求書中公布了：1.一種去除硅片上金屬互連的阻擋層的方法，其特征在于，用于10nm及以下的工藝節點，用于去除沉積在介質層和銅層之間的單層金屬釕阻擋層，該方法包括： 氧化步驟，將單層的金屬釕阻擋層氧化成釕氧化物層，所述氧化步驟使用電化學陽極氧化工藝對金屬釕阻擋層進行氧化； 氧化層刻蝕步驟，用刻蝕液對釕氧化物層進行刻蝕，去除釕氧化物層； 其中，所述氧化層刻蝕步驟中使用的刻蝕液是質量分數為0.01％～1wt％的HF，刻蝕液對于釕氧化物層和介質層的刻蝕速率比大于0.62:1，介質層材料為SiO2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人盛美半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區自由貿易試驗區蔡倫路1690號第4幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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