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龍圖騰網獲悉上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司申請的專利偽柵平坦化方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203539B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111516185.8，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權偽柵平坦化方法是由程繼設計研發完成，并于2021-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本偽柵平坦化方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種偽柵平坦化方法，包括步驟：刻蝕形成包括偽柵層、第一掩模層和第二掩模層的初始偽柵結構，并使第一掩模層的材料和第二掩模層的材料不同；對第二掩模層進行改性以得到改性掩模層，使所述改性掩模層和所述第一掩模層在后續的化學機械平坦化工藝中的刻蝕速度基本一致；形成阻擋層和填充層；采用化學機械平坦化工藝去除部分所述填充層、部分所述阻擋層、所述改性掩模層、所述第一掩模層和部分所述偽柵層，以得到若干高度相同的偽柵結構。使得能夠克服前程不同初始偽柵結構高度差帶來的負載效應，得到更高精度平坦化效果，以得到高度一致的偽柵結構。

本發明授權偽柵平坦化方法在權利要求書中公布了：1.一種偽柵平坦化方法，其特征在于，包括步驟： S1：刻蝕形成若干初始偽柵結構，使所述初始偽柵結構包括依次設置于襯底表面的偽柵層、第一掩模層和第二掩模層，并使所述第一掩模層的材料和所述第二掩模層的材料不同； S2：對所述第二掩模層進行改性，以得到改性掩模層，包括S21：在所述襯底的上表面和所述初始偽柵結構的表面形成有機薄膜，且使所述有機薄膜覆蓋所述第二掩模層；S22：對所述有機薄膜進行回刻處理，直至露出全部所述第二掩模層；S23：對所述第二掩模層進行改性，以得到改性掩模層；S24：去除剩余部分的所述有機薄膜； S3：形成覆蓋所述襯底的上表面和包覆所述初始偽柵結構的表面的阻擋層后，在所述阻擋層的上表面形成填充層，且使所述填充層覆蓋所述阻擋層； S4：采用化學機械平坦化工藝去除部分所述填充層、部分所述阻擋層、所述改性掩模層、所述第一掩模層和部分所述偽柵層，以得到若干高度相同的偽柵結構，包括：S41：進行第一次化學機械平坦化工藝去除部分所述填充層，直至露出位于最高的所述初始偽柵結構的上表面的所述阻擋層，且使對所述填充層的去除速率大于對所述阻擋層的去除速率；S42：進行第二次化學機械平坦化工藝去除部分所述填充層、部分所述阻擋層、所述改性掩模層、所述第一掩模層和部分所述偽柵層，且使對所述填充層的去除速率小于對所述阻擋層的去除速率，以得到若干高度相同的偽柵結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區葉城路1288號6幢JT2216室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。