北京遙感設(shè)備研究所趙海明獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京遙感設(shè)備研究所申請(qǐng)的專利一種L波段下變頻SIP模塊及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114421895B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111574890.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03D7/16;該發(fā)明授權(quán)一種L波段下變頻SIP模塊及其制作方法是由趙海明;阮堅(jiān);吳瑞強(qiáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種L波段下變頻SIP模塊及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明涉及下變頻器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種L波段下變頻SIP模塊及其制作方法。L波段下變頻SIP模塊包括管殼、下層微波多芯片組件電路及上層微波多芯片組件電路;上層微波多芯片組件電路位于所述下層微波多芯片組件電路上方,兩者采用疊層式設(shè)置,以形成電路的三維立體布設(shè),克服了傳統(tǒng)的L波段下變頻外形多樣和體積大的缺陷,特別是上層微波多芯片組件電路和所述下層微波多芯片組件電路之間通過(guò)金屬球電連接,實(shí)現(xiàn)上層電路和下層電路電連接的同時(shí),也保證上層微波多芯片組件電路和所述下層微波多芯片組件電路的立體化設(shè)置,金屬球相對(duì)于傳統(tǒng)的線纜和接頭,傳輸損耗更小。
本發(fā)明授權(quán)一種L波段下變頻SIP模塊及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種L波段下變頻SIP模塊,其特征在于,包括: 管殼; 下層微波多芯片組件電路,封裝在所述管殼內(nèi);及 上層微波多芯片組件電路,封裝在所述管殼內(nèi),位于所述下層微波多芯片組件電路上方,且與所述下層微波多芯片組件電路采用疊層式設(shè)置,以形成電路的三維立體布設(shè); 所述上層微波多芯片組件電路和所述下層微波多芯片組件之間通過(guò)金屬球電連接; 所述金屬球呈陣列式布設(shè); 所述下層微波多芯片組件電路包括依次連接的低噪聲放大器、第一開關(guān)、第一濾波器、第一數(shù)控衰減器、固定衰減器、第一混頻器和第一中頻濾波器,一本振放大器與第一混頻器連接,以形成第一中頻信號(hào); 所述第一中頻濾波器通過(guò)第一電信號(hào)傳輸金屬球與所述上層微波多芯片組件電路連接; 所述上層微波多芯片組件電路包括依次連接的第一中頻放大器、第二中頻數(shù)控衰減器、溫補(bǔ)衰減器、功分器、第二開關(guān)、第二混頻器及第二中頻放大器,二本振放大器與第二混頻器連接,所述第一中頻放大器與第一中頻濾波器通過(guò)第一電信號(hào)傳輸金屬球連接。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人北京遙感設(shè)備研究所,其通訊地址為:100854 北京市海淀區(qū)永定路51號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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